[發明專利]補償接合的半導體晶片未對準的方法

在審

• 申請號: 202010074932.6
• 申請日: 2020-01-22
• 公開（公告）號: CN111668162A
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發明（設計）人: 祐川光成
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/98
• 分類號: H01L21/98;H01L21/60;H01L25/18;H01L23/488;G11C5/06;G11C7/18;G11C8/14
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種方法，其包括：

將第一半導體晶片和第二半導體晶片彼此接合，所述第一半導體晶片包括存儲器單元陣列，并且所述第二半導體晶片包括用于存取所述存儲器單元陣列的電路；以及

在所述接合之后，在所述第一半導體晶片上形成多個觸點；所述多個觸點用于所述第一半導體晶片與所述第二半導體晶片之間的電連接；所述多個觸點分別連接到多個參考位置；其中所述多個觸點中的所述觸點中的每一個從所述多個參考位置中相關聯的一個位置偏移，以吸收所述第一半導體晶片與所述第二半導體晶片之間的接合對準誤差。

2.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括在所述接合之前形成所述第一半導體晶片的所述存儲器單元陣列的字線和位線。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述多個觸點中的所述觸點沿著所述字線。

4.根據權利要求2所述的方法，其中所述多個觸點中的所述觸點沿著所述位線。

5.根據權利要求2所述的方法，其中所述參考位置為第一參考位置，所述接合對準誤差為第一接合對準誤差，并且所述電連接為第一電連接；其中所述多個觸點是第一多個第一觸點，所述第一多個第一觸點從其相關聯的第一參考位置偏移了所述第一接合對準誤差；并且所述方法進一步包括：

在所述接合之后，在所述第一半導體晶片上形成第二多個第二觸點；所述第二多個第二觸點用于所述第一半導體晶片與所述第二半導體晶片之間的第二電連接；所述多個第二觸點分別連接到多個第二參考位置；其中所述第二多個第二觸點中的所述第二觸點中的每一個從其相關聯的第二參考位置偏移，以吸收所述第一半導體晶片與所述第二半導體晶片之間的第二接合對準誤差；

其中所述第一多個第一觸點中的所述第一觸點沿著所述字線和所述位線中的一個；并且

其中所述第二多個第二觸點中的所述第二觸點沿著所述字線和所述位線中的另一個。

6.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括在所述接合之后形成所述第一半導體晶片的所述存儲器單元陣列的字線和位線。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述多個觸點中的所述觸點沿著所述字線。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述多個觸點中的所述觸點在形成所述字線之后形成。

9.根據權利要求6所述的方法，其中所述多個觸點中的所述觸點沿著所述位線。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述多個觸點中的所述觸點在形成所述位線之前形成。

11.根據權利要求6所述的方法，其中所述參考位置為第一參考位置，所述接合對準誤差為第一接合對準誤差，并且所述電連接為第一電連接；其中所述多個觸點是第一多個第一觸點，所述第一多個第一觸點從其相關聯的第一參考位置偏移了所述第一接合對準誤差；并且所述方法進一步包括：

在所述第一半導體晶片上形成第二多個第二觸點；所述第二多個第二觸點用于所述第一半導體晶片與所述第二半導體晶片之間的第二電連接；所述多個第二觸點分別連接到多個第二參考位置；其中所述第二多個第二觸點中的所述第二觸點中的每一個從其相關聯的第二參考位置偏移，以吸收所述第一半導體晶片與所述第二半導體晶片之間的第二接合對準誤差；

其中所述第一多個第一觸點中的所述第一觸點沿著所述字線和所述位線中的一個；并且

其中所述第二多個第二觸點中的所述第二觸點沿著所述字線和所述位線中的另一個。

12.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括：

在所述接合之前形成所述第一半導體晶片的所述存儲器單元陣列的字線和位線中的一個；以及

在所述接合之后形成所述第一半導體晶片的所述存儲器單元陣列的字線和位線中的另一個。