[發明專利]半導體裝置在審
| 申請號： | 202010074732.0 | 申請日： | 2020-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN112310053A | 公開（公告）日： | 2021-02-02 |
| 發明（設計）人： | 川城史義 | 申請（專利權）人： | 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社 |
| 主分類號： | H01L25/07 | 分類號： | H01L25/07;H01L23/12;H01L23/367;H01L21/50 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 劉英華 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置，具備：
第1基體部件，具有第1側面；
第1絕緣板，設置于上述第1基體部件的上方；
第1金屬板，設置于上述第1絕緣板的上方；
第1半導體芯片，設置于上述第1金屬板的上方；
第1接合部件，將上述第1金屬板與上述第1半導體芯片接合；
第2接合部件，將上述第1基體部件與上述第1絕緣板接合；
第2基體部件，具有第2側面；
第2絕緣板，設置于上述第2基體部件的上方；
第2金屬板，設置于上述第2絕緣板的上方；
第2半導體芯片，設置于上述第2金屬板的上方；
第3接合部件，將上述第2金屬板與上述第2半導體芯片接合；
第4接合部件，將上述第2基體部件與上述第2絕緣板接合；以及
基體接合部，設置于上述第1側面與上述第2側面之間，將上述第1側面與上述第2側面接合。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
上述基體接合部通過上述第1側面與上述第2側面之間的摩擦滑動接合而形成。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
上述基體接合部包含設置于上述第1側面與上述第2側面之間的樹脂，
上述第1側面與上述第2側面通過上述樹脂而接合。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，其中，
在上述第1基體部件及上述第2基體部件各自之上，未設置多個絕緣板。
5.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，其中，
上述第1接合部件、上述第2接合部件、上述第3接合部件及上述第4接合部件是焊料，
上述第1接合部件的第1熔點比上述第2接合部件的第2熔點高，
上述第3接合部件的第3熔點比上述第4接合部件的第4熔點高。
6.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，其中，
上述第1接合部件、上述第2接合部件、上述第3接合部件及上述第4接合部件是焊料，
上述第1接合部件的第1熔點與上述第2接合部件的第2熔點相等，
上述第3接合部件的第3熔點與上述第4接合部件的第4熔點相等。
7.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，其中，
上述第1接合部件或上述第3接合部件包含具有導電性的燒結部件。
8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，
上述第2接合部件或上述第4接合部件包含具有導電性的燒結部件。
9.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，其中，還包括：
第5接合部件，設置于上述第1半導體芯片的上方，包含具有導電性的燒結部件；
第3金屬板，設置于上述第5接合部件的上方，通過上述第5接合部件而與上述第1半導體芯片接合；以及
引線，設置于上述第3金屬板的上方，與上述第3金屬板連接，包含銅。
10.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，其中，
上述第1半導體芯片及上述第2半導體芯片包含化合物半導體。
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