[發(fā)明專利]堆疊狀的多結(jié)太陽能電池有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010074133.9 | 申請日： | 2020-01-22 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111490115B | 公開（公告）日： | 2023-06-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | M·莫伊澤爾;R·范萊斯特;A·貝格;L·霍斯特 | 申請（專利權(quán)）人： | 阿聚爾斯佩西太陽能有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/0352 | 分類號(hào)： | H01L31/0352;H01L31/0687;H01L31/0725 |
| 代理公司： | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德國海*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 堆疊 太陽能電池 | ||
1.一種堆疊狀的多結(jié)太陽能電池(MS)，其具有
第一子電池(TZ1)和第二子電池(TZ2)，所述第一子電池具有上側(cè)和下側(cè)，其中，所述第一子電池(TZ1)構(gòu)造成最上方的子電池，從而入射光(L)首先照射到所述第一子電池(TZ1)的上側(cè)上并且然后通過所述下側(cè)照射到所述第二子電池(TZ2)上，
第一隧道二極管(TD1)，所述第一隧道二極管布置在所述第一子電池(TZ1)的下側(cè)和所述第二子電池(TZ2)之間，
窗口層(FS1)，其中，所述窗口層布置在所述第一子電池(TZ1)的上側(cè)上，并且所述窗口層(FS1)的帶隙大于所述第一子電池(TZ1)的帶隙，
彼此間隔開的至少兩個(gè)金屬指(M1)，其中，在所述金屬指(M1)以下并且在所述窗口層(FS1)以上布置有覆蓋層(AB)，
在所述覆蓋層(AB)以下并且在所述窗口層(FS1)以上布置有附加層(FS2)，其中，
所述附加層(FS2)的厚度小于所述窗口層(FS1)的厚度，并且所述附加層(FS2)的帶隙小于所述窗口層(FS1)的帶隙，
所述窗口層(FS1)和所述附加層(FS2)具有相同的元素，
其特征在于，
所述金屬指(M1)之間的所述附加層(FS2)的厚度小于所述金屬指(M1)以下的所述附加層(FS2)的厚度，
所述窗口層(FS1)和所述附加層(FS2)分別包括至少具有元素In、Al、P的化合物或由InAlP組成，并且相比于所述窗口層(FS1)，所述附加層(FS2)具有更高的In濃度和更低的Al濃度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊狀的多結(jié)太陽能電池(MS)，其特征在于，所述附加層(FS2)的晶格常數(shù)大于所述窗口層(FS1)的晶格常數(shù)，并且所述窗口層(FS1)的晶格常數(shù)小于所述第一子電池(TZ1)的晶格常數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的堆疊狀的多結(jié)太陽能電池(MS)，其特征在于，所述附加層(FS2)包括至少具有元素In、P的化合物或由InP組成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的堆疊狀的多結(jié)太陽能電池(MS)，其特征在于，在所述金屬指(M1)之間完全地或至少部分地缺失所述覆蓋層(AB)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的堆疊狀的多結(jié)太陽能電池(MS)，其特征在于，所述覆蓋層(AB)包括至少具有元素Ga、As的化合物或至少具有元素In、Ga、As的化合物，或所述覆蓋層(AB)由GaAs或InGaAs組成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的堆疊狀的多結(jié)太陽能電池(MS)，其特征在于，所述覆蓋層(AB)的厚度位于30nm與1μm之間的范圍內(nèi)，或者所述覆蓋層(AB)的厚度位于250nm與500nm之間的范圍內(nèi)，或者所述覆蓋層(AB)的厚度為300nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的堆疊狀的多結(jié)太陽能電池(MS)，其特征在于，與所述窗口層(FS1)相比，所述附加層(FS2)相對于由檸檬酸、過氧化氫和水組成的蝕刻溶液具有較低的濕法化學(xué)蝕刻率。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的堆疊狀的多結(jié)太陽能電池(MS)，其特征在于，所述附加層(FS2)具有厚度，并且所述附加層(FS2)的厚度位于0.1nm與5nm之間的范圍內(nèi)，或所述附加層(FS2)的厚度位于0.5nm與1.2nm之間的范圍內(nèi)，或所述附加層(FS2)的厚度恰好為0.7nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的堆疊狀的多結(jié)太陽能電池(MS)，其特征在于，所述窗口層(FS1)具有厚度，并且所述窗口層(FS1)的厚度位于10nm與25nm之間的范圍內(nèi)，或所述窗口層(FS1)的厚度位于14nm與20nm之間的范圍內(nèi)，或者所述窗口層(FS1)的厚度位于15nm與17nm之間的范圍內(nèi)，或所述窗口層(FS1)的厚度為15nm。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
