[發(fā)明專利]成膜裝置和使用了其的金屬膜的形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010073335.1 | 申請日: | 2020-01-22 |
| 公開(公告)號: | CN111485273B | 公開(公告)日: | 2022-08-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 岡本和昭;佐藤祐規(guī) | 申請(專利權(quán))人: | 豐田自動車株式會社 |
| 主分類號: | C25D17/00 | 分類號: | C25D17/00;C25D17/02;C25D17/12 |
| 代理公司: | 中國貿(mào)促會專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038 | 代理人: | 張智慧 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裝置 使用 金屬膜 形成 方法 | ||
1.成膜裝置,是用于形成金屬膜的成膜裝置,其具有:
陽極、
陰極、
在所述陽極與所述陰極之間設(shè)置的固體電解質(zhì)膜、
在所述陽極與所述固體電解質(zhì)膜之間劃分出溶液容納空間的溶液容納部、和
在所述陽極與所述陰極之間施加電壓的電源部,
所述固體電解質(zhì)膜具有第一固體電解質(zhì)層、第二固體電解質(zhì)層、以及設(shè)置于所述第一固體電解質(zhì)層和所述第二固體電解質(zhì)層之間、斷裂強(qiáng)度比所述第一固體電解質(zhì)層和所述第二固體電解質(zhì)層小的層,
所述第一固體電解質(zhì)層具有在所述溶液容納空間露出的第一表面,所述第二固體電解質(zhì)層具有與所述陰極相對置的第二表面,
所述固體電解質(zhì)膜可沿著與所述第一表面和所述第二表面都不具有公共點(diǎn)的分割面分割。
2.金屬膜的形成方法,其包括:在權(quán)利要求1所述的成膜裝置中,在用包含金屬離子的電解液將溶液容納空間充滿并且固體電解質(zhì)膜與陰極接觸的狀態(tài)下,在陽極與陰極之間施加電壓。
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