[發明專利]一種毫米波雷達射頻前端電路結構及其制作方法

在審

• 申請號: 202010073216.6
• 申請日: 2020-01-22
• 公開（公告）號: CN111090076A
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發明（設計）人: 屈操;閆紅宇;李剛
• 申請（專利權）人: 無錫威孚高科技集團股份有限公司
• 主分類號: G01S7/28
• 分類號: G01S7/28
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良;陳麗麗

1.一種毫米波雷達射頻前端電路結構，包括：毫米波雷達射頻前端電路和印刷電路板，其特征在于，所述毫米波雷達射頻前端電路包括MMIC芯片、饋電電路和天線，所述印刷電路板包括多層芯板，所述天線設置在所述多層芯板的頂層芯板的表面，所述多層芯板的至少底層芯板上設置凹槽，所述凹槽的開口朝向背離所述頂層芯板的方向，所述MMIC芯片位于所述凹槽內，所述天線與所述MMIC芯片之間通過所述饋電電路連接；

所述天線用于雷達信號的發射傳輸和接收傳輸，所述饋電電路用于雷達發射天線信號饋電和和接收天線信號饋電，所述MMIC芯片用于雷達信號的發射處理和接收處理。

2.根據權利要求1所述的毫米波雷達射頻前端電路結構，其特征在于，所述饋電電路包括饋電過孔，所述饋電過孔設置在所述頂層芯板與所述底層芯板之間，所述饋電過孔用于將所述MMIC芯片與頂層芯板上的所述天線連接。

3.根據權利要求1或2所述的毫米波雷達射頻前端電路結構，其特征在于，所述饋電電路包括同層微帶線，所述同層微帶線用于實現所述MMIC芯片與所述天線的兩端的連接。

4.根據權利要求3所述的毫米波雷達射頻前端電路結構，其特征在于，所述多層芯板中的每相鄰兩層芯板之間均設置金屬層，且所述頂層芯板的上表面以及所述底層芯板的下表面均設置所述金屬層。

5.根據權利要求4所述的毫米波雷達射頻前端電路結構，其特征在于，所述印刷電路板包括三層芯板，所述三層芯板包括頂層芯板、內層芯板和下層芯板，所述頂層芯板的上表面設置第一金屬層，所述頂層芯板與所述內層芯板之間設置第二金屬層，所述內層芯板與所述下層芯板之間設置第三金屬層，所述下層芯板的下表面設置第四金屬層。

6.根據權利要求5所述的毫米波雷達射頻前端電路結構，其特征在于，所述天線位于所述第一金屬層上，所述內層芯板和所述底層芯板上均設置所述凹槽，所述MMIC芯片位于所述凹槽內。

7.根據權利要求1所述的毫米波雷達射頻前端電路結構，其特征在于，所述天線包括發射陣列天線和所述接收陣列天線，所述發射陣列天線和所述接收陣列天線均通過所述饋電電路與所述MMIC芯片連接。

8.根據權利要求1所述的毫米波雷達射頻前端電路結構，其特征在于，所述頂層芯板的制作材料包括高頻材料。

9.一種毫米波雷達射頻前端電路結構的制作方法，其特征在于，包括：

提供一層芯板，在所述一層芯板的上表面覆蓋金屬層，并在所述金屬層上制作天線圖形；

在所述一層芯板的下表面依次制作多層芯板，并在多層芯板的每相鄰兩層芯板之間均設置所述金屬層，以及在底層芯板的下表面設置所述金屬層；

對至少底層芯板上的金屬層進行刻蝕，露出底層芯板基材，形成凹陷區域圖案；

去除所述底層芯板上所述凹陷區域圖案對應的芯板基材，形成凹槽；

將MMIC芯片設置在所述凹槽內，且將所述MMIC芯片通過饋電電路與所述天線連接。

10.根據權利要求9所述的毫米波雷達射頻前端電路結構的制作方法，其特征在于，所述毫米波雷達射頻前端電路結構的制作方法還包括：

在所述頂層芯板與所述底層芯板之間形成過孔，將所述饋電電路設置在所述過孔中。