[發明專利]一種薄膜制備組件、薄膜制備方法及其應用

有效

• 申請號: 202010073147.9
• 申請日: 2020-01-22
• 公開（公告）號: CN113151785B
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發明（設計）人: 王衍斌;李朝陽;易泰民;何智兵;黃勇
• 申請（專利權）人: 中國工程物理研究院激光聚變研究中心
• 主分類號: C23C14/22
• 分類號: C23C14/22;C23C14/50;C23C14/54
• 代理公司: 中國工程物理研究院專利中心 51210
• 代理人: 翟長明;韓志英

1.一種薄膜制備組件，其特征在于，該薄膜制備組件包含半導體制冷球冠碗(1)、熱沉單元(2)、電機(3)；其連接關系是，電機(3)安裝在熱沉單元(2)上，半導體制冷球冠碗(1)安裝在電機(3)的軸端；所述的熱沉單元(2)包括上半部分、下半部分及中間部分，其中，上半部分設有與半導體制冷球冠碗(1)相匹配的凹坑，下半部分設置為傾斜坡面，中間部分為導熱墊片。

2.根據權利要求1所述的薄膜制備組件，其特征在于，所述的半導體制冷球冠碗(1)與熱沉單元(2)的凹坑光滑接觸。

3.一種基于權利要求1或2所述的薄膜制備組件的薄膜制備方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：

(a)將帶有球形襯底的制備組件放入真空鍍膜設備的樣品臺上；

(b)將真空腔抽真空；

(c)制備組件通電，并設定制備組件中球冠碗的溫度及旋轉速度；

(d)通入薄膜原材料，直至球形薄膜成型。

4.根據權利要求3所述的薄膜制備方法，其特征在于，步驟(c)中所述的溫度為-50℃～50℃、旋轉速度低于10r/s。

5.一種基于權利要求1或2所述的薄膜制備組件或基于權利要求3或4所述的薄膜制備方法制備的薄膜的應用，其特征在于，所述的薄膜用于激光聚變研究實驗用的靶殼層。