[發明專利]一種帶有新型釋放結構的諧振器及其制備方法在審
| 申請號： | 202010072800.X | 申請日： | 2020-01-21 |
| 公開（公告）號： | CN111224637A | 公開（公告）日： | 2020-06-02 |
| 發明（設計）人： | 孫成亮;童欣;劉婕妤;周杰;謝英;鄒楊 | 申請（專利權）人： | 武漢大學 |
| 主分類號： | H03H9/13 | 分類號： | H03H9/13 |
| 代理公司： | 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 許蓮英 |
| 地址： | 430072 湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 帶有 新型 釋放 結構 諧振器 及其 制備 方法 | ||
1.一種帶有新型釋放結構的諧振器，其特征在于，包括：襯底、中間介質層、壓電層、電極、犧牲層、第一釋放結構、第二釋放結構、隔離層、空腔；
所述襯底上部具有中間介質層；
所述壓電層懸浮于所述襯底上方；
所述中間介質層置于所述襯底與所述壓電層之間；
所述第二釋放結構位于所述隔離層和所述工作區域的中間過渡區域，
所述犧牲層位于第二釋放結構內且充滿第二釋放結構；
所述隔離層附著于所述的中間介質層、壓電層內側。
2.根據權利要求1所述的帶有新型釋放結構的諧振器，其特征在于：所述隔離層形狀為四周封閉結構，所述隔離層用于器件釋放時保護所述非工作區域中的中間介質層，所述隔離層的材料與所述中間介質層的材料不同。
3.根據權利要求2所述的帶有新型釋放結構的諧振器，其特征在于：所述四周封閉結構為封閉環或封閉多邊形。
4.根據權利要求1所述的帶有新型釋放結構的諧振器，其特征在于：所述第一釋放結構為封閉槽結構，用于定義工作區域和非工作區域。
5.根據權利要求4所述的帶有新型釋放結構的諧振器，其特征在于：所述工作區域為壓電層和電極覆蓋的區域，所述封閉槽結構為矩形槽、圓形槽、多邊形槽。
6.根據權利要求1所述的帶有新型釋放結構的諧振器，其特征在于：所述第二釋放結構位為槽孔結構。
7.根據權利要求6所述的帶有新型釋放結構的諧振器，其特征在于：所述槽孔結構為M個多邊形凹槽或N個圓形孔，M0,N0,M、N均為整數。
8.根據權利要求1所述的帶有新型釋放結構的諧振器，其特征在于：所述襯底優選為硅襯底或藍寶石襯底；所述中間介質層的材料為SiO2、Si3N4、SiC；所述隔離層的材料為Si3N4、SiC、AlN；所述壓電層的材料為LiNbO3、LiTaO3、AlN、ZnO；所述電極的材料為金屬材料。
9.根據權利要求8所述的帶有新型釋放結構的諧振器，其特征在于：所屬金屬材料為Mo、Pt、Au、Al任意一種金屬材料或者多種金屬材料的組合。
10.一種帶有新型釋放結構的諧振器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1：將中間介質層形成于襯底上方，壓電層形成于中間介質層上方；
步驟2：在壓電層、中間介質層上形成環形封閉槽或者多邊形封閉槽，進而形成第一釋放結構；
步驟3：在第一釋放結構中填充隔離層；
步驟4：在隔離層上形成M個多邊形凹槽或N個圓形孔，進而形成第二釋放結構，通過M個多邊形凹槽或N個圓形孔構成第二釋放結構，M0,N0,M、N均為整數；
步驟5：在第二釋放結構中填充犧牲層，所述的犧牲層材料與中間介質層材料一致；
步驟6：在壓電層上形成電極，所述電極可同時分布在所述壓電層的上表面以及下表面，也可僅在所述壓電層的上表面或下表面
步驟7：通過第二釋放結構釋放隔離層內部的中間介質層，形成空腔。
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