[發(fā)明專利]一種顯示面板及顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010072398.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-01-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111261640A | 公開(公告)日: | 2020-06-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 魏昕宇;張鍇;郭永林;肖云升;王苗;范鴻梅 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃麗 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:顯示區(qū)域和圍繞所述顯示區(qū)域的周邊區(qū)域,所述顯示區(qū)域包括第一子顯示區(qū)域和第二子顯示區(qū)域;
所述第一子顯示區(qū)域和所述第二子顯示區(qū)域內(nèi)分別具有多行像素,處于同一行的各所述像素通過(guò)至少一條柵線相連,所述第二子顯示區(qū)域內(nèi)一行所述像素的像素?cái)?shù)量小于所述第一子顯示區(qū)域內(nèi)一行所述像素的像素?cái)?shù)量;
所述周邊區(qū)域包括:與所述第一子顯示區(qū)域內(nèi)的各所述柵線對(duì)應(yīng)電連接的第一柵極移位寄存器,與所述第二子顯示區(qū)域內(nèi)的各所述柵線對(duì)應(yīng)電連接的第二柵極移位寄存器;且所述第一柵極移位寄存器和所述第二柵極移位寄存器均包括輸出晶體管,所述輸出晶體管的源極與對(duì)應(yīng)的時(shí)鐘信號(hào)線電連接,所述輸出晶體管的漏極與對(duì)應(yīng)的所述柵線電連接;
其中,所述第二子顯示區(qū)域內(nèi)的所述輸出晶體管的溝道區(qū)的寬長(zhǎng)比小于所述第一子顯示區(qū)域內(nèi)的所述輸出晶體管的溝道區(qū)的寬長(zhǎng)比。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第二子顯示區(qū)域內(nèi)的所述輸出晶體管的溝道區(qū)的長(zhǎng)度與所述第一子顯示區(qū)域內(nèi)的所述輸出晶體管的溝道區(qū)的長(zhǎng)度相等;
所述第二子顯示區(qū)域內(nèi)的所述輸出晶體管的溝道區(qū)的寬度小于所述第一子顯示區(qū)域內(nèi)的所述輸出晶體管的溝道區(qū)的寬度。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第二子顯示區(qū)域內(nèi)的所述輸出晶體管的溝道區(qū)的寬度與所述第一子顯示區(qū)域內(nèi)的所述輸出晶體管的溝道區(qū)的寬度相等;
所述第二子顯示區(qū)域內(nèi)的所述輸出晶體管的溝道區(qū)的長(zhǎng)度大于所述第一子顯示區(qū)域內(nèi)的所述輸出晶體管的溝道區(qū)的長(zhǎng)度。
4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的顯示面板,其特征在于,所述第二子顯示區(qū)域內(nèi)的所述輸出晶體管的溝道區(qū)的寬長(zhǎng)比是所述第一子顯示區(qū)域內(nèi)的所述輸出晶體管的溝道區(qū)的寬長(zhǎng)比的20%~50%。
5.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的顯示面板,其特征在于,所述第二子顯示區(qū)域在所述柵線的延伸方向上包括:第一區(qū)域、第二區(qū)域和中間區(qū)域,所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域被所述中間區(qū)域間隔設(shè)置;
且僅所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域包括多行所述像素。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述中間區(qū)域?yàn)榘疾坌危宜霭疾坌蔚拈_口一側(cè)緊鄰所述顯示面板的第一邊界設(shè)置。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述中間區(qū)域靠近所述開口一側(cè)在所述柵線延伸方向上的長(zhǎng)度大于所述中間區(qū)域遠(yuǎn)離所述開口一側(cè)在所述柵線延伸方向上的長(zhǎng)度。
8.如權(quán)利要求6所述的顯示面板,其特征在于,靠近所述第一邊界的所述第二柵極移位寄存器的所述輸出晶體管的溝道區(qū)的寬長(zhǎng)比小于遠(yuǎn)離所述第一邊界的所述第二柵極移位寄存器的所述輸出晶體管的溝道區(qū)的寬長(zhǎng)比。
9.如權(quán)利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述第一區(qū)域內(nèi)的所述柵線和所述第二區(qū)域內(nèi)的所述柵線在所述中間區(qū)域相互斷開,且斷開后的所述柵線各連接一所述第二柵極移位寄存器。
10.如權(quán)利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述第一區(qū)域,所述第二區(qū)域,以及所述中間區(qū)域的至少部分邊緣為曲邊、圓角、倒角或切口;
所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中的各行所述像素延伸至所述曲邊、圓角、倒角或切口。
11.一種顯示裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)所述的顯示面板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





