[發(fā)明專利]存儲器及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010072104.9
• 申請日: 2020-01-21
• 公開（公告）號: CN111640752B
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 賴惠先;林昭維;朱家儀;童宇誠
• 申請（專利權(quán)）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 上海思捷知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

1.一種存儲器，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底上定義有記憶體區(qū)和周邊區(qū)，所述周邊區(qū)位于所述記憶體區(qū)的外側(cè)；

多條隔離柱，形成在所述襯底上并至少位于所述記憶體區(qū)中，以用于界定出多個節(jié)點(diǎn)接觸窗在所述襯底的所述記憶體區(qū)中，以及所述多個節(jié)點(diǎn)接觸窗在預(yù)定方向上對齊排布呈多排；以及，

多個節(jié)點(diǎn)接觸部，所述節(jié)點(diǎn)接觸部填充所述節(jié)點(diǎn)接觸窗并呈多排排布，并且每一排填充在最邊緣且緊鄰的兩個節(jié)點(diǎn)接觸窗中的兩個節(jié)點(diǎn)接觸部相互連接，其中相互連接的兩個節(jié)點(diǎn)接觸部構(gòu)成組合接觸部，以及位于所述組合接觸部遠(yuǎn)離周邊區(qū)一側(cè)的節(jié)點(diǎn)接觸部構(gòu)成獨(dú)立接觸部，并且每一所述獨(dú)立接觸部填充一個節(jié)點(diǎn)接觸窗。

2.如權(quán)利要求1所述的存儲器，其特征在于，相鄰的所述節(jié)點(diǎn)接觸部之間間隔有所述隔離柱；

其中，所述組合接觸部中的兩個節(jié)點(diǎn)接觸部之間間隔的隔離柱構(gòu)成第一隔離柱，以及所述組合接觸部中的兩個節(jié)點(diǎn)接觸部覆蓋所述第一隔離柱，并在所述第一隔離柱的頂表面上相互連接。

3.如權(quán)利要求1所述的存儲器，其特征在于，相鄰的所述獨(dú)立接觸部之間間隔的隔離柱構(gòu)成第二隔離柱，并且所述第二隔離柱的頂表面低于所述獨(dú)立接觸部的頂表面；

以及，所述存儲器還包括第一遮蔽層，所述第一遮蔽層至少填充在相鄰的所述獨(dú)立接觸部之間并位于所述第二隔離柱上。

4.如權(quán)利要求3所述的存儲器，其特征在于，所述組合接觸部中的兩個節(jié)點(diǎn)接觸部之間間隔的隔離柱構(gòu)成第一隔離柱，所述第一隔離柱的頂表面高于所述第二隔離柱的頂表面。

5.如權(quán)利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述隔離柱還形成在所述周邊區(qū)中并構(gòu)成第三隔離柱，以及相鄰的所述第三隔離柱之間間隔有絕緣填充柱。

6.如權(quán)利要求5所述的存儲器，其特征在于，所述存儲器還包括：

電性傳導(dǎo)層，至少形成在部分所述第三隔離柱上，其中被所述電性傳導(dǎo)層覆蓋的部分第三隔離柱的頂表面高出于未被所述電性傳導(dǎo)層覆蓋的另一部分第三隔離柱的頂表面。

7.如權(quán)利要求6所述的存儲器，其特征在于，所述電性傳導(dǎo)層和所述組合接觸部間隔設(shè)置，以及位于所述電性傳導(dǎo)層和所述組合接觸部之間的第三隔離柱和絕緣填充柱的頂表面相對于所述節(jié)點(diǎn)接觸部的頂表面更為下沉，以界定出凹槽在所述電性傳導(dǎo)層和所述組合接觸部之間。

8.如權(quán)利要求7所述的存儲器，其特征在于，所述存儲器還包括第二遮蔽層，所述第二遮蔽層至少填充在所述電性傳導(dǎo)層和所述組合接觸部之間的所述凹槽中。

9.如權(quán)利要求7所述的存儲器，其特征在于，所述存儲器還包括多個隔離側(cè)墻，所述凹槽的側(cè)壁上形成有所述隔離側(cè)墻；

其中，所述凹槽的底壁上還形成有絕緣膜層，所述絕緣膜層覆蓋所述凹槽中的第三隔離柱的頂表面和絕緣填充柱的頂表面，并連接所述隔離側(cè)墻的底部。

10.如權(quán)利要求7所述的存儲器，其特征在于，所述存儲器還包括多個隔離側(cè)墻，所述凹槽的側(cè)壁上形成有所述隔離側(cè)墻，并且所述隔離側(cè)墻的底部部分覆蓋所述第三隔離柱；

其中，在所述凹槽中，被所述隔離側(cè)墻覆蓋的第三隔離柱的頂表面高出于未被所述隔離側(cè)墻覆蓋的第三隔離柱的頂表面。