[發明專利]晶體管及其制備方法、顯示基板和顯示裝置

在審

• 申請號: 202010071529.8
• 申請日: 2020-01-21
• 公開（公告）號: CN111162129A
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發明（設計）人: 關峰
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;H01L21/268
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 姜春咸;馮建基

本發明提供一種晶體管及其制備方法、顯示基板和顯示裝置。該晶體管包括：基底和設置在基底上的柵極、有源層、源極和漏極；源極和漏極分設于有源層的相對兩端；有源層包括有源區和圍設在有源區外側的周邊區，有源區與周邊區相對接，有源區在基底上的正投影至少對應源極和漏極之間的間隔區域在基底上的正投影，有源區包括第一區和第二區，第一區圍設于第二區的外圍且第一區和第二區相對接，第一區采用非晶硅材料，第二區采用多晶硅材料；源極和漏極均分別與有源區連接。該晶體管結構設計，提升了晶體管的遷移率，降低晶體管的漏電流，并改善晶體管的開態電流和關態電流，有效提升晶體管的性能并簡化了其制備工藝，使晶體管的應用更加廣泛。

技術領域

本發明屬于顯示技術領域，具體涉及一種晶體管及其制備方法、顯示基板和顯示裝置。

背景技術

目前，大多數半導體晶體管都采用非晶硅材料的有源區，這種半導體晶體管通常采用傳統的構圖工藝和離子注入工藝進行制備，制備工藝復雜且制備效率低，很難解決高世代線的技術瓶頸。采用傳統方法和材料制備形成的傳統結構的晶體管遷移率低，漏電流高，使得晶體管的應用也受到很大的限制。

發明內容

本發明針對現有晶體管遷移率低、漏電流高、制備工藝復雜的問題，提供一種晶體管及其制備方法、顯示基板和顯示裝置。該晶體管通過使晶體管的有源區由非晶硅材料的第一區和多晶硅材料的第二區構成，提升了晶體管的遷移率，降低晶體管的漏電流，并改善晶體管的開態電流和關態電流，有效提升晶體管的性能，使晶體管的應用更加廣泛，且本發明中晶體管的制備工藝簡單。

本發明提供一種晶體管，包括：基底和設置在所述基底上的柵極、有源層、源極和漏極；所述源極和所述漏極分設于所述有源層的相對兩端；所述有源層包括有源區和圍設在所述有源區外側的周邊區，所述有源區與所述周邊區相對接，所述有源區在所述基底上的正投影至少對應所述源極和所述漏極之間的間隔區域在所述基底上的正投影，所述有源區包括第一區和第二區，所述第一區圍設于所述第二區的外圍且所述第一區和所述第二區相對接，所述第一區采用非晶硅材料，所述第二區采用多晶硅材料；

所述源極和所述漏極均分別與所述有源區連接。

可選地，所述源極和所述漏極均分別與所述第一區接觸并連接，或者，所述源極和所述漏極還均分別與所述第二區接觸并連接。

可選地，所述第二區為條形，所述第一區為條形，所述第一區和所述第二區平行排布，所述第二區夾設于所述第一區之間；所述第一區和所述第二區的長度方向均沿所述源極與所述漏極的連線方向；

且沿所述源極和所述漏極的連線方向，所述源極連接所述第一區和所述第二區的一端端面，所述漏極連接所述第一區和所述第二區的另一端端面。

可選地，所述第一區封閉式地圍繞在所述第二區的外圍；

且沿所述源極和所述漏極的連線方向，所述源極連接所述第一區的一端端面，所述漏極連接所述第一區的另一端端面。

可選地，還包括中間導通層和刻蝕阻擋層，所述源極和所述漏極位于所述有源層的背離所述基底的一側；

所述中間導通層位于所述源極和所述漏極的靠近所述有源層的一側，且與所述源極和所述漏極相接觸，所述中間導通層在所述基底上的正投影至少部分位于所述周邊區；

所述刻蝕阻擋層位于所述中間導通層的靠近所述有源層的一側，且所述刻蝕阻擋層在所述基底上的正投影位于所述有源區且覆蓋所述有源區；

所述柵極位于所述有源層的靠近所述基底的一側，所述柵極與所述有源層之間設置有柵絕緣層。

可選地，所述第一區還延伸至所述周邊區，且所述第一區延伸至所述周邊區的部分在所述基底上的正投影覆蓋所述周邊區，并形成所述周邊區的第一非晶硅層。

可選地，所述第一非晶硅層與所述中間導通層相接觸。