[發明專利]一種SnSe/Bi2 有效
| 申請號： | 202010071218.1 | 申請日： | 2020-01-21 |
| 公開（公告）號： | CN111261737B | 公開（公告）日： | 2022-08-12 |
| 發明（設計）人： | 簡基康;王盛儒;郭欽樺;杜炳生 | 申請（專利權）人： | 廣東工業大學 |
| 主分類號： | H01L31/0336 | 分類號： | H01L31/0336;H01L21/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人： | 陳嘉毅 |
| 地址： | 510060 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 snse bi base sub | ||
1.一種SnSe/Bi2Se3納米片異質結的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1. 將聚乙烯吡咯烷酮溶解于溶劑中，再加入Bi(NO3)3、SeO2和油酸，混勻后，在200℃中水熱反應15h，冷卻至室溫后，洗滌，干燥，制得Bi2Se3納米片；其中聚乙烯吡咯烷酮、Bi(NO3)3、SeO2的質量比為1～5：0.3949：0.1663；
S2. 將步驟S1制得的Bi2Se3納米片置于襯底上，打開SnSe蒸發源進行真空蒸鍍SnSe，制得SnSe/Bi2Se3納米片異質結。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟S1所述的聚乙烯吡咯烷酮、Bi(NO3)3、SeO2的質量比為3：0.3949：0.1663。
3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，步驟S1所述的溶劑為二甲基甲酰胺。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟S2所述的襯底為半導體襯底、電介質襯底或金屬襯底中的一種；所述半導體襯底為硅襯底。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟S2所述的襯底與蒸發源的距離為5～15cm。
6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，步驟S2進行真空蒸鍍時的襯底溫度升高至250℃。
7.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，步驟S2進行真空蒸鍍時的蒸發源溫度升高至350～450℃。
8.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，步驟S2所述真空蒸鍍5～20分鐘。
9.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述真空蒸鍍時壓強為5×10-5～7×10-5Pa。
10.權利要求1～9任一項所述的制備方法制得的SnSe/Bi2Se3納米片異質結。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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