[發明專利]壓電器件及其形成方法

在審

• 申請號: 202010071110.2
• 申請日: 2020-01-21
• 公開（公告）號: CN112802958A
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 陳志明
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L41/04
• 分類號: H01L41/04;H01L41/083;H01L41/22;H01L41/27
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

本發明提供一種壓電器件，包含襯底、金屬?絕緣體?金屬元件、氫阻擋層、鈍化層、第一接觸端子以及第二接觸端子。金屬?絕緣體?金屬元件安置在襯底上。氫阻擋層安置在金屬?絕緣體?金屬元件上。鈍化層覆蓋氫阻擋層和金屬?絕緣體?金屬元件。第一接觸端子電連接到金屬?絕緣體?金屬元件。第二接觸端子電連接到金屬?絕緣體?金屬元件。

技術領域

本發明實施例涉及一種壓電器件及其形成方法。

背景技術

壓電器件用于多個領域且當今對壓電器件的全球需求變得強烈。

發明內容

根據本發明的實施例，一種壓電器件包括襯底、金屬-絕緣體-金屬元件、氫阻擋層、鈍化層、第一接觸端子以及第二接觸端子。金屬-絕緣體-金屬元件安置在所述襯底上。氫阻擋層安置在所述金屬-絕緣體-金屬元件上。鈍化層覆蓋所述氫阻擋層和所述金屬-絕緣體-金屬元件。第一接觸端子電連接到所述金屬-絕緣體-金屬元件。第二接觸端子電連接到所述金屬-絕緣體-金屬元件。

根據本發明的實施例，一種壓電器件包括襯底、第一電極、壓電層、第二電極、氫阻擋層、鈍化層、第一接觸端子以及第二接觸端子。第一電極安置在所述襯底上。壓電層安置在所述第一電極上。第二電極安置在所述壓電層上。氫阻擋層安置在所述第二電極上和所述襯底上方。鈍化層覆蓋所述氫阻擋層、所述第二電極、所述壓電層以及所述第一電極。第一接觸端子電連接到所述第一電極。第二接觸端子電連接到所述第二電極。

根據本發明的實施例，一種形成壓電器件的方法，包括：依次在襯底上形成第一導電層、壓電材料層以及第二導電層；在所述第二導電層上形成第一氫阻擋材料層；將所述第一氫阻擋材料層圖案化以形成第一氫阻擋層；形成鈍化層以覆蓋所述第一氫阻擋層。

附圖說明

在結合附圖閱讀時將根據以下詳細描述最好地理解本公開的各方面。應注意，根據業界中的標準慣例，各個特征未按比例繪制。實際上，為了論述清楚起見，可任意增加或減小各個特征的臨界尺寸。

圖1為示出根據一些實施例的壓電器件的示意性橫截面圖。

圖2為示出根據一些實施例的壓電器件的示意性俯視圖。

圖3A至圖3I為示出根據一些實施例的形成圖1和圖2中的壓電器件的方法的各個階段的示意性橫截面圖。

圖4為示出根據替代性實施例的壓電器件的示意性橫截面圖。

圖5為示出根據替代性實施例的壓電器件的示意性橫截面圖。

圖6A和圖6B為示出根據一些實施例的壓電器件的一個例示性應用的示意圖。

附圖標號說明

10、20a、20b、1000：壓電器件；

100：襯底；

101：第一電極；

101A：第一金屬圖案；

102：壓電層；

103：第二電極；

103A：第二金屬圖案；

104：氫阻擋層；

104a：第一氫阻擋層；

104b：第二氫阻擋層；

104c：第三氫阻擋層；

105：鈍化層；

106：第一接觸端子；

107：第二接觸端子；

108：第一導電層；

109：壓電材料層；