[發(fā)明專利]薄膜晶體管、顯示面板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010070957.9
• 申請日: 2020-01-21
• 公開（公告）號(hào): CN111180524B
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王慶賀;蘇同上;黃勇潮;胡迎賓;張揚(yáng);王海濤;劉寧;李廣耀;王政;季雨;胡金良;宋威;成軍;閆梁臣
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H10K59/121
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 劉紅彬

1.一種薄膜晶體管，包括襯底基板、位于襯底基板一側(cè)的柵極金屬、位于所述柵極金屬背離所述襯底基板一側(cè)的柵極絕緣層，其特征在于，還包括：

位于所述柵極絕緣層背離所述襯底基板一側(cè)的有源層；

位于所述有源層背離所述襯底基板一側(cè)、且同層設(shè)置的第一金屬氧化物和第二金屬氧化物，所述第一金屬氧化物設(shè)置有第一過孔，所述第二金屬氧化物設(shè)置有第二過孔；

位于所述第一金屬氧化物和所述第二金屬氧化物背離所述襯底基板一側(cè)、且同層設(shè)置的源極金屬和漏極金屬；所述源極金屬與所述第一金屬氧化物連接、且通過所述第一過孔與所述有源層連接；所述漏極金屬與所述第二金屬氧化物連接、且通過所述第二過孔與所述有源層連接；所述第一金屬氧化物和所述第二金屬氧化物能夠在溫度上升至預(yù)定值時(shí)由絕緣狀態(tài)相變?yōu)閷?dǎo)電狀態(tài)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一金屬氧化物和所述第二金屬氧化物材質(zhì)均為二氧化釩；

所述預(yù)定值為68℃。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一金屬氧化物和/或所述第二金屬氧化物摻雜有稀有金屬。

4.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管，所述顯示面板還包括：

位于所述源極金屬和漏極金屬背離所述襯底基板一側(cè)的鈍化層；

位于所述鈍化層背離所述襯底基板一側(cè)的有機(jī)膜層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板還包括位于所述有機(jī)膜層背離所述襯底基板一側(cè)的陽極金屬層；

所述鈍化層設(shè)置有第三過孔，所述有機(jī)膜層設(shè)置有第四過孔，所述第三過孔與所述第四過孔連通，且所述陽極金屬層通過所述第三過孔和所述第四過孔與所述漏極金屬連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板還包括：

位于所述陽極金屬層背離所述襯底基板一側(cè)的陰極金屬層；

位于所述陽極金屬層與所述陰極金屬層之間的發(fā)光層。

7.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求4-6任一項(xiàng)所述的顯示面板。

8.一種應(yīng)用于如權(quán)利要求4-6任一項(xiàng)所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供襯底基板，在襯底基板上依層制備柵極金屬、柵極絕緣層、有源層以及金屬氧化物層；

對金屬氧化物層刻蝕圖案化以形成第一過孔和第二過孔；

在金屬氧化物層背離襯底基板的一側(cè)制備源漏金屬層，并通過構(gòu)圖工藝形成源極金屬圖形以及漏級(jí)金屬圖形；其中，源極金屬圖形通過第一過孔與有源層連接，漏極金屬圖形通過第二過孔與有源層連接，金屬氧化物層位于第一過孔和第二過孔之間的部位露出；

對金屬氧化物層的露出部分刻蝕圖案化，以將其分隔為第一金屬氧化物和第二金屬氧化物；其中，第一過孔位于第一金屬氧化物，第二過孔位于第二金屬氧化物；

在第一金屬氧化物和第二金屬氧化物背離襯底基板的一側(cè)依層制備鈍化層、有機(jī)膜層和陽極金屬層；其中，鈍化層設(shè)置有第三過孔，有機(jī)膜層設(shè)置有第四過孔，第三過孔與第四過孔連通，陽極金屬層通過第三過孔和第四過孔與漏極金屬連接；

在陽極金屬層背離襯底基板一側(cè)依層制備發(fā)光層和陰極金屬層；

對柵極金屬施加電壓，以獲得能夠發(fā)光的顯示面板。