[發(fā)明專利]等離子體處理裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010070561.4
• 申請(qǐng)日: 2020-01-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111524782B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-07-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 久保田紳治
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01J37/32
• 分類號(hào): H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 任玉敏

1.一種等離子體處理裝置，其具備：

腔室；

基板支撐器，其構(gòu)成為具有下部電極且在所述腔室內(nèi)支撐基板；

高頻電源，其構(gòu)成為產(chǎn)生高頻電力，以在所述腔室內(nèi)由氣體生成等離子體；及

偏置電源，其構(gòu)成為與所述下部電極電連接且產(chǎn)生用于將離子引入所述基板支撐器的偏置電力，

所述偏置電源構(gòu)成為作為所述偏置電力周期性產(chǎn)生脈沖狀的負(fù)極性的直流電壓，

所述高頻電源構(gòu)成為在所述脈沖狀的負(fù)極性的直流電壓未施加到所述下部電極的第1期間，作為一個(gè)以上的脈沖供應(yīng)所述高頻電力，在所述脈沖狀的負(fù)極性的直流電壓施加到所述下部電極的第2期間，停止供應(yīng)所述高頻電力，

所述高頻電源具有功率級(jí)地生成所述高頻電力，所述一個(gè)以上的脈沖中的每一個(gè)的高頻電力的功率級(jí)從該一個(gè)以上的脈沖中的每一個(gè)的開(kāi)始時(shí)刻到該一個(gè)以上的脈沖中的每一個(gè)的峰值出現(xiàn)的時(shí)刻為止逐漸增加，

所述高頻電源具有：

發(fā)電機(jī)，其構(gòu)成為產(chǎn)生所述高頻電力；及

輸出部，其構(gòu)成為輸出通過(guò)所述發(fā)電機(jī)產(chǎn)生的所述高頻電力，

所述發(fā)電機(jī)構(gòu)成為產(chǎn)生高頻電力，該高頻電力包含分別具有以指定頻率的間隔相對(duì)于基本頻率對(duì)稱設(shè)定的多個(gè)頻率的多個(gè)電力成分，其包絡(luò)線具有以所述指定頻率或以該指定頻率的2倍以上倍數(shù)的頻率且按規(guī)定的時(shí)間間隔周期性出現(xiàn)的峰值，其功率級(jí)設(shè)定成在除了所述峰值的每一個(gè)出現(xiàn)時(shí)刻緊前的所述包絡(luò)線的零交叉區(qū)域與該出現(xiàn)時(shí)刻緊后的所述包絡(luò)線的零交叉區(qū)域之間的期間以外的期間為零。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其還具備：

控制部，其構(gòu)成為控制所述偏置電源，以設(shè)定所述脈沖狀的負(fù)極性的直流電壓的周期的相位。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其中，

所述控制部構(gòu)成為進(jìn)一步控制所述偏置電源，以設(shè)定所述脈沖狀的負(fù)極性的直流電壓的持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其中，

所述發(fā)電機(jī)構(gòu)成為具有：

波形數(shù)據(jù)生成部；

量化部，其構(gòu)成為對(duì)通過(guò)所述波形數(shù)據(jù)生成部生成的波形數(shù)據(jù)進(jìn)行量化來(lái)生成量化數(shù)據(jù)；

傅里葉逆變換部，其構(gòu)成為對(duì)所述量化數(shù)據(jù)適用傅里葉逆變換來(lái)生成I數(shù)據(jù)及Q數(shù)據(jù)；及

調(diào)制部，其構(gòu)成為利用所述I數(shù)據(jù)及所述Q數(shù)據(jù)調(diào)制相位彼此相差90°的兩個(gè)基準(zhǔn)高頻信號(hào)來(lái)生成調(diào)制高頻信號(hào)，

并且根據(jù)所述調(diào)制高頻信號(hào)生成所述高頻電力。

5.一種等離子體處理裝置，其具備：

腔室；

基板支撐器，其構(gòu)成為具有下部電極且在所述腔室內(nèi)支撐基板；

高頻電源，其構(gòu)成為產(chǎn)生高頻電力，以在所述腔室內(nèi)由氣體生成等離子體；及

偏置電源，其構(gòu)成為與所述下部電極電連接且產(chǎn)生用于將離子引入所述基板支撐器的偏置電力，

所述偏置電源構(gòu)成為作為所述偏置電力產(chǎn)生高頻偏置電力，

所述高頻電源在從所述偏置電源輸出的所述高頻偏置電力具有正電壓的第1期間，作為一個(gè)以上的脈沖供應(yīng)所述高頻電力，在從所述偏置電源輸出的所述高頻偏置電力具有負(fù)電壓的第2期間，停止供應(yīng)所述高頻電力，

所述高頻電源具有功率級(jí)地生成所述高頻電力，所述一個(gè)以上的脈沖中的每一個(gè)的高頻電力的功率級(jí)從該一個(gè)以上的脈沖中的每一個(gè)的開(kāi)始時(shí)刻到該一個(gè)以上的脈沖中的每一個(gè)的峰值出現(xiàn)的時(shí)刻為止逐漸增加。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體處理裝置，其還具備：

控制部，其構(gòu)成為控制所述偏置電源，以設(shè)定所述高頻偏置電力的相位。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的等離子體處理裝置，其中，

所述一個(gè)以上的脈沖中的每一個(gè)上升時(shí)間比能夠從所述高頻電源輸出的高頻電力的脈沖的最小上升時(shí)間更長(zhǎng)。

8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的等離子體處理裝置，其中，

所述高頻電源具有：

發(fā)電機(jī)，其構(gòu)成為產(chǎn)生所述高頻電力；及

輸出部，其構(gòu)成為輸出通過(guò)所述發(fā)電機(jī)產(chǎn)生的所述高頻電力。