[發明專利]發光二極管及其制造方法在審
| 申請號： | 202010070420.2 | 申請日： | 2020-01-21 |
| 公開（公告）號： | CN111081836A | 公開（公告）日： | 2020-04-28 |
| 發明（設計）人： | 吳永勝;張帆 | 申請（專利權）人： | 福建兆元光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 福州元創專利商標代理有限公司 35100 | 代理人： | 丘鴻超;蔡學俊 |
| 地址： | 350109 福建省福州市*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 及其 制造 方法 | ||
1.一種發光二極管，其特征在于，包括：
基板；
在所述基板上形成的n型半導體層；
在所述n型半導體層的部分區域上形成的活性層；
在所述活性層上形成的，用于防止電子溢出的電子阻擋層；
在所述電子阻擋層上形成的空穴注入層；
在所述空穴注入層上形成的p型半導體層；
與所述n型半導體層電性連接的n型電極；以及
與所述p型半導體層電性連接的p型電極；
所述空穴注入層具有越靠近所述p型半導體層越小的帶隙能。
2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述電子阻擋層包含p-AlGaN，所述空穴注入層包含InAlGaN。
3.根據權利要求2所述的發光二極管，其特征在于，所述空穴注入層中，越靠近所述p型半導體層，銦含量越高。
4.根據權利要求2所述的發光二極管，其特征在于，所述空穴注入層包含InxAlyGaN，其中，x的取值范圍為0.1~10，y的取值范圍為0.15~0.3。
5.一種發光二極管的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
1）在基板上形成n型半導體層；
2）在所述n型半導體層上形成活性層；
3）在所述活性層上形成電子阻擋層；
4）在所述電子阻擋層上形成空穴注入層；
5）在所述空穴注入層上形成p型半導體層；
6）蝕刻所述p型半導體層、所述空穴注入層、所述電子阻擋層及所述活性層的部分區域而使所述n型半導體層的部分區域露出；
7）形成與所述n型半導體層電性連接的n型電極；
8）形成與所述p型半導體層電性連接的p型電極；
所述步驟4在形成空穴注入層的過程中，調節所述空穴注入層的組成比，以使所述空穴注入層具有越靠近所述p型半導體層越小的帶隙能。
6.根據權利要求5所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，所述電子阻擋層包含p-AlGaN，所述空穴注入層包含InAlGaN。
7.根據權利要求6所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，所述步驟4在電子阻擋層上形成空穴注入層的過程中，使所述空穴注入層的銦含量逐漸增加地層疊。
8.根據權利要求6所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，所述步驟4，包括在所述電子阻擋層上層疊InxAlyGaN層，其中，x的取值范圍為0.1~10，y的取值范圍為0.15~0.3。
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