[發(fā)明專利]耦合環(huán)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010069637.1 | 申請日： | 2017-06-22 |
| 公開（公告）號： | CN111489951B | 公開（公告）日： | 2023-07-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 邁克爾·C·凱洛格;阿列克謝·馬拉霍塔諾夫;約翰·帕特里克·霍蘭德;陳志剛;菲力克斯·科扎克維奇;肯尼思·盧凱西 | 申請（專利權(quán)）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海勝康律師事務(wù)所 31263 | 代理人： | 樊英如;張靜 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 耦合 | ||
1.一種耦合環(huán)，其包括：
具有頂表面和底表面的絕緣體材料；
嵌入所述絕緣體材料內(nèi)的電極，其中所述電極位于所述絕緣體材料的頂表面下方的第一距離處和所述絕緣體材料的底表面上方的第二距離處，
其中所述電極被配置為耦合到電源接腳，
其中，所述耦合環(huán)被配置為放置在等離子體室內(nèi)，以與等離子體室的卡盤相鄰，
其中所述電極位于所述等離子體室的邊緣環(huán)和所述等離子體室的絕緣體環(huán)之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耦合環(huán)，其中，位于所述電極與所述絕緣體材料的頂表面之間的所述絕緣體材料的一部分用作電介質(zhì)，以促進所述電極與所述等離子體室的所述邊緣環(huán)之間的電容耦合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耦合環(huán)，其中，所述第一距離小于所述第二距離。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耦合環(huán)，其中，所述電極是具有多個導(dǎo)線交叉以形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的網(wǎng)狀電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耦合環(huán)，其中，所述電極是平坦的環(huán)形電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耦合環(huán)，其中，所述電源接腳包括同軸電纜和圍繞所述同軸電纜的套筒。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耦合環(huán)，其中，位于所述電極與所述絕緣體材料的頂表面之間的所述絕緣體材料的一部分用作電介質(zhì)，以促進所述電極與所述等離子體室的所述邊緣環(huán)之間的電容耦合，其中所述電源接腳通過饋電環(huán)耦合到射頻傳輸線，用于接收射頻信號以促進所述電容耦合，其中所述饋電環(huán)具有圓形部分和多個臂，其中所述多個臂中的一個臂耦合到所述射頻傳輸線的射頻桿，用于從所述射頻桿接收所述射頻信號，其中，所述多個臂中的另一個臂耦合到所述電源接腳相連，用于將所述射頻信號提供給所述電極上的一個位置。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耦合環(huán)，其中，所述絕緣體材料的頂表面配置為位于所述等離子體室的所述邊緣環(huán)下方，并且所述絕緣體材料的底表面配置為位于所述等離子體室的所述絕緣體環(huán)上方，其中所述邊緣環(huán)面對所述等離子體室的上電極以在所述上電極和所述邊緣環(huán)之間形成間隙。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耦合環(huán)，其中，所述絕緣體材料的一部分將所述電源接腳與所述等離子體室的所述卡盤分開。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耦合環(huán)，其中，所述電源接腳經(jīng)由射頻傳輸線耦合到阻抗匹配電路，用于經(jīng)由所述射頻傳輸線從所述阻抗匹配電路接收修改的射頻信號，其中，所述阻抗匹配電路耦合到射頻發(fā)生器，用于接收來自所述射頻發(fā)生器的射頻信號。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的耦合環(huán)，其中，所述電源接腳經(jīng)由射頻濾波器耦合到阻抗匹配電路，其中，所述射頻濾波器被配置為對直流信號進行濾波，以保護所述等離子體室的所述邊緣環(huán)免受所述直流信號的影響，其中所述絕緣體材料的頂表面位于所述邊緣環(huán)下方。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耦合環(huán)，
其中，所述電源接腳經(jīng)由射頻傳輸線耦合到射頻濾波器，用于經(jīng)由所述射頻傳輸線從所述射頻濾波器接收經(jīng)濾波的射頻信號，其中所述射頻濾波器耦合到地電位。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的耦合環(huán)，其中，所述電源接腳經(jīng)由附加的射頻濾波器耦合到所述射頻濾波器，其中，所述附加的射頻濾波器被配置為對直流信號進行濾波以保護所述等離子體室的所述邊緣環(huán)免受所述直流信號的影響，其中所述絕緣體材料的頂表面鄰近所述邊緣環(huán)。
14.一種耦合環(huán)，其包括：
絕緣體材料；
嵌入所述絕緣體材料內(nèi)的電極，
其中所述電極被配置為在所述電極上的不同點處耦合到多個電源接腳。
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