[發明專利]用于磁共振成像導向的放射療法的射頻鳥籠型線圈有效
| 申請號： | 202010069533.0 | 申請日： | 2014-03-12 |
| 公開（公告）號： | CN111257808B | 公開（公告）日： | 2022-10-18 |
| 發明（設計）人： | 詹姆士·F·登普西;T·赫梅萊夫斯基 | 申請（專利權）人： | 優瑞技術公司 |
| 主分類號： | G01R33/34 | 分類號： | G01R33/34 |
| 代理公司： | 北京世峰知識產權代理有限公司 11713 | 代理人： | 卓霖;許向彤 |
| 地址： | 美國俄*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 磁共振 成像 導向 放射療法 射頻 鳥籠 線圈 | ||
【權利要求書】：
1.一種磁共振成像(MRI)導向的放療系統，包括：
放療設備，被配置為發射輻射束；
MRI系統，包括RF發射線圈；以及
PIN二極管解耦電路，當所述放療設備發射輻射束時，所述PIN二極管解耦電路位于輻射束的路徑的外部。
2.如權利要求1所述的磁共振成像(MRI)導向的放療系統，其特征在于，所述PIN二極管解耦電路使用同軸電纜位于輻射束的路徑的外部。
3.如權利要求1所述的磁共振成像(MRI)導向的放療系統，其特征在于，所述PIN二極管解耦電路利用具有自抵消場輪廓的寬平行導體位于輻射束的路徑的外部。
4.如權利要求1所述的磁共振成像(MRI)導向的放療系統，其特征在于，所述MRI系統是具有小于1.0T的磁場強度的低場MRI系統。
5.如權利要求1所述的磁共振成像(MRI)導向的放療系統，其特征在于，該系統還包括調諧電容器，所述調諧電容器位于當由所述放療設備發射時的輻射束的路徑的外部。
6.如權利要求5所述的磁共振成像(MRI)導向的放療系統，其特征在于，所述調諧電容器被置于RF發射線圈的橫檔間隙中。
7.如權利要求5所述的磁共振成像(MRI)導向的放療系統，其特征在于，所述調諧電容器被置于RF發射線圈的環間隙中。
8.如權利要求1所述的磁共振成像(MRI)導向的放療系統，其特征在于，所述PIN二極管解耦電路位于所述發射線圈的導電橫檔的端段附近。
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