[發明專利]基片處理裝置、基片處理方法和存儲介質

在審

• 申請號: 202010069376.3
• 申請日: 2020-01-21
• 公開（公告）號: CN111524852A
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發明（設計）人: 新村聰;高柳康治
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01L21/67;H01L21/027;G03F7/16
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

本發明提供基片處理裝置、基片處理方法和存儲介質。基片處理裝置是使用處理液處理基片的基片處理裝置，其包括：保持基片并使其旋轉的保持旋轉部；處理液供給機構，其至少具有收納處理液的處理液容器和用于將上述處理液容器的處理液供給到基片的液供給通路；釋放部，其對因上述保持旋轉部而旋轉的基片釋放從上述液供給通路供給的處理液；獲取上述處理液供給機構中的壓力信息的壓力信息獲取部；和基于由上述壓力信息獲取部獲取的壓力信息，控制上述保持旋轉部的轉速的控制部。本發明能夠進行各個基片的膜厚的改變少的良好的涂敷處理。

技術領域

本發明涉及基片處理裝置、基片處理方法和存儲介質。

背景技術

已知有使用抗蝕劑液等處理液處理半導體晶片等基片的基片處理裝置。這種基片處理裝置包括：保持基片并使其旋轉的保持旋轉部；和對因保持旋轉部而旋轉的基片釋放處理液的釋放部(專利文獻1)

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2011-023669號公報

發明內容

發明要解決的技術問題

在對多個基片連續地進行抗蝕劑液的涂敷處理的情況下，各個基片的處理后的抗蝕劑的膜厚有時發生改變。本發明提供一種進行各個基片的膜厚的改變少的良好的涂敷處理的技術。

用于解決技術問題的技術方案

本發明的一方式的基片處理裝置是使用處理液處理基片的基片處理裝置，其包括：保持基片并使其旋轉的保持旋轉部；處理液供給機構，其至少具有收納處理液的處理液容器和用于將上述處理液容器的處理液供給到基片的液供給通路；釋放部，其對因上述保持旋轉部而旋轉的基片釋放從上述液供給通路供給的處理液；獲取上述處理液供給機構中的壓力信息的壓力信息獲取部；和基于由上述壓力信息獲取部獲取的壓力信息，控制上述保持旋轉部的轉速的控制部。

發明效果

依照本發明，能夠進行各個基片的膜厚的改變少的良好的涂敷處理。

附圖說明

圖1是表示使用了本發明的基片處理裝置的涂敷處理裝置整體的概略結構的結構圖。

圖2是將方案信息與處理液供給機構的壓力信息相關聯的表。

圖3是用于說明本實施方式中的涂敷處理裝置的動作的流程圖。

附圖標記說明

1 處理液供給機構

2 涂敷處理單元

11 瓶

22 旋轉卡盤

23 驅動機構

25 供給噴嘴

100 控制部。

具體實施方式

對將本發明的基片處理裝置應用于進行抗蝕劑液的涂敷處理的涂敷處理裝置的實施方式進行說明。此外，在本說明書中，在實質上具有相同的功能結構的要素中，標注相同的附圖標記而省略重復的說明。

(第1實施方式)

圖1是表示本發明的實施方式的涂敷處理裝置整體的概略結構的結構圖。涂敷處理裝置包括處理液供給機構1和涂敷處理單元2。在涂敷處理單元2中，收納于杯狀體21內的旋轉卡盤(spin chuck)22和驅動機構23構成保持基片并使其旋轉的保持旋轉部。