[發(fā)明專(zhuān)利]雙層雙D型線圈及基于線圈的缺陷方向檢測(cè)方法和裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010069316.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-01-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111257409B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-02-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 于亞婷;王偉;張磊;程西蒙;王磊;王振偉 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 電子科技大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | G01N27/90 | 分類(lèi)號(hào): | G01N27/90;H01F5/00 |
| 代理公司: | 成都虹盛匯泉專(zhuān)利代理有限公司 51268 | 代理人: | 王偉 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 雙層 線圈 基于 缺陷 方向 檢測(cè) 方法 裝置 | ||
1.基于雙層雙D型線圈的金屬構(gòu)件缺陷方向定量無(wú)損檢測(cè)方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1、制作加工雙層雙D型線圈探頭,該探頭中包含信號(hào)激勵(lì)單元和信號(hào)接收單元,信號(hào)激勵(lì)單元為雙層雙D型線圈結(jié)構(gòu),信號(hào)接收單元為檢測(cè)線圈或磁傳感器;雙層雙D型線圈結(jié)構(gòu)包括互相平行的上層線圈和下層線圈,上層線圈和下層線圈的形狀都為雙D型;上層線圈和下層線圈的最外層半徑、線圈匝數(shù)和線間距均相等,兩個(gè)線圈所在平面之間的距離即上下兩層線圈之間的距離d;
上層線圈和下層線圈的中心線分別為l2、l1,每層線圈中以電流流入的相反方向作為該層線圈中心線l2、l1的0°參考方向,將上層線圈中心線l2投影到下層線圈平面得到l2';當(dāng)兩層線圈之間的偏轉(zhuǎn)角度為零度時(shí),l1和l2'重合;當(dāng)上層線圈以順時(shí)針旋轉(zhuǎn)角度θ0時(shí),l1和l2'形成的夾角為θ0,稱(chēng)為上下兩層線圈之間的偏轉(zhuǎn)角度;下層線圈的中心線l1定義為雙層雙D型線圈的中心線;
當(dāng)上下兩層線圈的電流輸入端相連接時(shí),兩層線圈之間的偏轉(zhuǎn)角度θ0的范圍是0~360°;當(dāng)上下兩層線圈的電流輸入端不相連接時(shí),兩層線圈之間的偏轉(zhuǎn)角度θ0的范圍是0~180°;
S2、產(chǎn)生固定頻率的脈沖激勵(lì)信號(hào):產(chǎn)生脈沖激勵(lì)信號(hào)U0并將其輸入雙層雙D型線圈探頭的信號(hào)激勵(lì)單元;
S3、提取參考信號(hào):將加工雙層雙D型線圈探頭放置在被測(cè)試件沒(méi)有缺陷的區(qū)域上方一定提離高度l的位置,檢測(cè)出參考電壓信號(hào)A0;
S4、測(cè)量檢測(cè)信號(hào):將雙層雙D型線圈探頭固定在被測(cè)金屬構(gòu)件缺陷區(qū)域上方相同提離高度l的位置,分別測(cè)量在已知的不同缺陷方向θi下電壓信號(hào)Ai和在未知缺陷方向θd下的電壓信號(hào)Ad,并將檢測(cè)到的電壓信號(hào)Ai和Ad輸入到響應(yīng)信號(hào)放大濾波模塊;i=2,3,…,n,n表示測(cè)量次數(shù);
S5、響應(yīng)信號(hào)放大濾波:對(duì)電壓信號(hào)Ai和Ad進(jìn)行放大濾波處理,濾除Ai和Ad中的干擾信號(hào)并對(duì)濾波后的信號(hào)進(jìn)行放大,得到理想電壓信號(hào)A′i和A′d,并得到A′i和A′d的峰值Bzi和Bzd;
S6、確定缺陷方向包括以下兩個(gè)子步驟:
S61、根據(jù)(θi,Bzi)繪制缺陷方向θi與Bzi的關(guān)系曲線,得到關(guān)于缺陷角度呈現(xiàn)對(duì)稱(chēng)分布的一個(gè)關(guān)系曲線圖;
根據(jù)θi與Bzi的關(guān)系曲線擬合得到缺陷方向θ與Bz的函數(shù)關(guān)系式:
θ=G(Bz) (1);
S62、求解缺陷方向:將未知缺陷方向θd下的理想電壓信號(hào)的峰值Bzd代入式(1),得到兩個(gè)缺陷方向值θd1和θd2;其中,θd1為銳角,θd2為鈍角;取差分信號(hào)ΔA=max|A′d-A0|,若ΔA>ε,缺陷方向θd=θd2;反之,缺陷方向θd=θd1;其中,ε為預(yù)設(shè)的閾值。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于電子科技大學(xué),未經(jīng)電子科技大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010069316.1/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)





