[發明專利]顯示面板及顯示裝置有效
| 申請號: | 202010068621.9 | 申請日: | 2020-01-21 |
| 公開(公告)號: | CN111261657B | 公開(公告)日: | 2022-11-25 |
| 發明(設計)人: | 李恭檀 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/56 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 楊艇要 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本發明提供了一種顯示面板及顯示裝置,該顯示面板包括:基板、驅動層、MiniLED發光單元、第一封裝膠以及薄膜封裝層。本發明的顯示面板為大尺寸的MiniLED發光,通過設置一薄膜封裝層,該薄膜封裝層由有機層以及無機層堆疊而成。通過薄膜封裝層的隔絕水氧的能力,可以有效的彌補硅膠材料的封裝膠的缺陷,提高面板的穩定性。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種大尺寸的MiniLED發光的顯示面板及顯示裝置。
背景技術
MiniLED技術目前廣泛的應用在超大尺寸(100英寸)的顯示器中,所采用的主流技術是采用PCB基板作為基底的小間距LED技術。目前MiniLED顯示屏的像素間間距在10mm到1mm之間。基于PCB基板的技術方案是將負責驅動的金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管和LED燈封裝在一起,然后轉移并固定在PCB基板上。該技術方案面臨兩個方面的問題:(1)MOS晶體管和LED燈封裝的尺寸較大,難以實現像素間距小于0.5mm的顯示屏;(2)PCB板和MOS晶體管的成本較高。
目前都在開發采用薄膜晶體管(TFT)基板驅動MiniLED的技術方案。與PCB基板和MOS管的技術方案相比,采用TFT基板能夠省去MOS晶體管的器件成本。現有面板廠的TFT基板生產尺寸較大,相較于PCB基板來說,單位面積的成本也較低。由于不需要將MOS管與LED燈封裝在一起,器件的尺寸也可以縮小,在實現更小的像素間距方面也有優勢。因此,采用TFT基板驅動MiniLED的拼接屏技術具有更大的優點。
目前,主流的TFT技術包括氫化非晶硅TFT技術(a-Si:H TFT)、非晶氧化物(amorphous oxide)TFT技術和低溫多晶體TFT技術。氫化非晶硅TFT的載流子遷移率較低,難以滿足MiniLED驅動的要求。與氧化物TFT技術相比,低溫多晶硅TFT技術的制作工藝復雜且世代線較低,成本較高。因此,現開發采用氧化物TFT驅動的MiniLED拼接屏是現主流。但是,氧化物材料容易吸附環境中水氧導致器件的電性發生負偏。因此,需要對MiniLED顯示屏進行封裝,減少環境中的水氧的影響。目前,MiniLED顯示屏僅在LED燈固晶后涂布封膠,封膠的成分為硅膠。硅膠對水氧的阻隔能力較差,難以滿足氧化物TFT的封裝要求。
發明內容
本發明的目的在于,提出一種顯示面板及顯示裝置,可以解決大尺寸的MiniLED發光的顯示面板封裝效果差的問題。
為了達到上述目的,本發明提供一種顯示面板,包括:基板;驅動層,設于所述基板的一側,所述驅動層包括多個氧化物薄膜晶體管;多個MiniLED發光單元,陣列式分布于所述驅動層遠離所述基板的一側,每個氧化物薄膜晶體管對應連接對應的MiniLED發光單元;第一封裝膠,貼附于所述驅動層上且包覆所述MiniLED發光單元;薄膜封裝層,設于所述第一封裝膠遠離所述驅動層的一側。
進一步地,所述薄膜封裝層包括至少一混合層,所述混合層包括有機層以及無機層,所述無機層設于所述有機層上。
進一步地,所述氧化物薄膜晶體管的材料為銦鎵鋅氧化物。
進一步地,還包括一扇出走線、以及綁定區,所述扇出走線連接至所述綁定區,所述扇出走線設于所述顯示面板的側面。
進一步地,還包括:第二封裝膠,貼附于所述第一封裝膠的左右兩側。
進一步地,所述第一封裝膠的材料包括黑膠或UV固化膠。
進一步地,所述第二封裝膠的材料包括黑膠或UV固化膠。
進一步地,所述有機層的材料為聚酰亞胺;所述無機層的材料為硅系化合物。
進一步地,所述第二封裝膠貼附部分所述扇出走線。
本發明還提供一種顯示裝置,包前文所述的顯示面板。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司,未經深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010068621.9/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種具有自取電功能的開關柜觸頭電流測量環
- 下一篇:電子設備及其控制方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





