[發明專利]用于決定元件在光刻掩模上的位置的設備與方法

有效

• 申請號: 202010068024.6
• 申請日: 2020-01-20
• 公開（公告）號: CN111458983B
• 公開（公告）日: 2022-12-20
• 發明（設計）人: M.布達赫;N.奧思
• 申請（專利權）人: 卡爾蔡司SMT有限責任公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王蕊瑞

1.一種用于決定至少一個元件(130,540,940)在光刻掩模(110)上的位置的設備(200)，包含：

a.至少一個掃描粒子顯微鏡(210)，其包含第一參考物體(240)，其中該第一參考物體(240)設置在該掃描粒子顯微鏡(210)上，使得該掃描粒子顯微鏡能夠用于決定該至少一個元件(130,540,940)在該光刻掩模(110)上相對于該第一參考物體(240)的相對位置；以及

b.至少一個距離測量裝置(270)，其實施為決定該第一參考物體(240)和第二參考物體(250)之間的距離，其中該第二參考物體(250)與該光刻掩模(110)之間存在一關系。

2.如權利要求1所述的設備(200)，其中該第一參考物體(240)被附接到用于至少一個粒子束(225)的該掃描粒子顯微鏡(210)的輸出端，使得該第一參考物體(240)能夠至少部分地通過該至少一個粒子束(225)來成像。

3.如前述權利要求中任一項所述的設備(200)，其中該第一參考物體(240)包含展開一坐標系統的至少三個標記(850,950)。

4.如權利要求3所述的設備(200)，其中該至少三個標記(850,950)的橫向尺寸范圍為1nm至5000nm，和/或其中該至少三個標記(850,950)的高度范圍為1nm至1000nm。

5.如權利要求3所述的設備(200)，其中該至少三個標記(850,950)具有與該第一參考物體(240)的材料成分不同的材料成分。

6.如權利要求1或2所述的設備(200)，其中該第一參考物體(240)設置在該掃描粒子顯微鏡(200)的至少一個粒子束(225)的景深內。

7.如權利要求1或2所述的設備(200)，其中該第一參考物體(240)包含第一數量的單元胞(880,980)，其中每一單元胞(880,980)包含至少三個標記(850,950)，其中第二數量的粒子束(225)穿過該第一數量的單元胞(880,980)，其中以下適用于該第二數量：1≤第二數量≤第一數量，且其中該第一數量包含一區域10。

8.如權利要求1或2所述的設備(200)，其中該第一參考物體(240)包含薄膜(810)，其中展開一坐標系統的至少三個標記(850)設置于該薄膜上。

9.如權利要求1或2所述的設備(200)，其中該第一參考物體(240)具有至少一個孔徑(420,430,920)，該至少一個粒子束(920)穿過該孔徑，以用于感測該光刻掩模(110)。

10.如權利要求9所述的設備(200)，其中該掃描粒子顯微鏡(210)的掃描單元(282)實施為在一共同掃描過程中在該第一參考物體(240)的至少一個部分上以及在該光刻掩模(110)的元件(130,540,940)上掃描該至少一個粒子束(225)。

11.如權利要求1或2所述的設備(200)，其中該第一參考物體(240)是導電的，以用于補償該光刻掩模(110)的表面電荷(120,125)。

12.如權利要求1或2所述的設備(200)，其中該掃描粒子顯微鏡(210)包含評估單元(286)，該評估單元實施為從該第一參考物體(240)的變化來決定由該粒子束顯微鏡(210)的至少一個粒子束(225)記錄的像的變形，和/或其中該評估單元(286)進一步實施為基于一模型來從該第一參考物體(240)的變化決定該光刻掩模(110)的靜電荷。

13.如權利要求1或2所述的設備(200)，其中該至少一個距離測量裝置(270)包含至少一個干涉儀。