[發明專利]導電帶、光伏裝置和應用在審
| 申請號: | 202010067472.4 | 申請日: | 2020-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN111446321A | 公開(公告)日: | 2020-07-24 |
| 發明(設計)人: | 孫益民 | 申請(專利權)人: | 寧波森聯光電科技有限公司;寧波林源光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/05 | 分類號: | H01L31/05;H01L31/18 |
| 代理公司: | 寧波理文知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 33244 | 代理人: | 李高峰;孟湘明 |
| 地址: | 315400 浙江省寧波市余*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 導電 裝置 應用 | ||
本發明提供了一導電帶、光伏裝置和應用,其中所述導電帶具有一導電帶背面、兩個導電帶側面以及至少一個反射面,其中兩個所述導電帶側面被分別設置為自所述導電帶背面的長度方向的邊緣位置朝上延伸而成,其中至少一個所述導電帶側面的至少部分形成所述反射面并且所述反射面被設置為傾斜的,以反射自上而下朝向所述導電帶背面所在位置輻射而被所述反射面阻擋的光線。
技術領域
本發明涉及到導電領域,尤其涉及到導電帶、光伏裝置和應用。
背景技術
導電帶是一種常見的電連接介質,可以在至少兩個導電件之間傳遞電能并且 起到連接作用,比如說在太陽能光伏組件的電池片中,由于單個電池片的輸出電 壓較低,需要通過該導電帶將多個電池片串聯或者是并聯,然后形成完整的回路。 該導電帶被鍍有焊接層,然后通過焊接層被連接于電池片的正面或者背面,在導 電的同時連接多個電池片以成為一個整體。
參考附圖1所示,以該導電帶1P連接于兩個電池片2P為例進行說明,一個 電池片2P被連接于該導電帶1P的正面,另一個電池片2P被連接于該導電帶1P 的背面。對于該導電帶1P而言,該導電帶1P的上表面需要和電池片2P接觸, 該導電帶1P的下表面也需要和電池片2P接觸。該導電帶1P通常被設置有焊層 20P,以有利于該導電帶1P和電池片2P的穩固連接,并且焊層20P的厚度越厚, 該導電帶1P和電池片2P之間的連接就更加穩固,同時需要的焊料就更多,導致 導電帶1P的生產成本上升。
進一步地,電池片2P的表面用于接收光線,以將光能轉換為電能,其光電 轉換效率極大地受制于電池片2P表面的暴露面積。一些實驗數據表明,如果一 個電池片2P的表面遮蔽,那么整個光伏組件的光電轉換效率都會大幅下降。當 借助該導電帶1P連接于電池片2P時,難以避免地會因為該導電帶1P而對于電 池片2P表面進行遮蔽。
為了提高整個光伏組件對于太陽能的收集效率,目前采用的手段是將導電帶 1P作為反光導電帶1P使用。詳細地說,在電池片2P的上方設置一個反光板, 該反光導電帶1P位于電池片2P和反光板之間。該導電帶1P的焊層20P能夠反 射光線至該反光板,然后該反光板會反射光線至該電池片2P的未被遮蔽區域, 以使得原本應該落入該電池片2P而被該導電帶1P阻擋的光線能夠重新落入該電 池片2P,從而提高該電池片2P的光電轉換效率。
該反光導電帶1P用于反射光線的表面會通常被設置為凹凸起伏的,以有利 于提高對于光線的反射效率。具體地說,該反光導電帶1P包括一導電基體10P 和該焊層20P,其中該焊層20P被貼附于該導電基體10P的表面,并且該焊層 20P的至少部分用于反光。該導電基體10P的上表面或者下表面可以被設置為凹 凸起伏的,該焊層20P被設置于該導電基體10P的上表面或者是下表面,然后形 成該反光導電帶1P的凹凸起伏的上表面或者下表面。
當該反光導電帶1P被安裝于電池片2P的正面進行焊接時,由于焊接導致溫 度的升高,使得該反光導電帶1P的上表面一側的該焊層20P的至少部分融化并 且流到該導電基體10P的凹陷處,從而使得整個該反光導電帶1P的凹凸起伏變 的平緩,甚至有可能趨向平面,從而削弱了原先的凹凸起伏反射面帶來的優勢, 不利于對光線的反射。為了避免或者是減少這種情況的發生,焊層20P需要被設 置的較薄。
換句話說,當該導電帶1P位于一個電池片2P的正面時,該導電帶1P的對 應于下表面的該焊層20P需要被設置的較厚,以有利于和電池片2P的穩固連接, 而該導電帶1P位于一個電池片2P的背面時,該導電帶1P的對應于上表面的該 焊層20P需要被設置的較厚,以有利于和電池片2P的穩固連接。然而出于對于 太陽能收集效率的考慮,當該導電帶1P位于一個電池片2P的正面時,該導電帶 1P的對應于上表面的該焊層20P需要被設置的較薄。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





