[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010067464.X
• 申請日: 2020-01-20
• 公開（公告）號: CN111740721B
• 公開（公告）日: 2023-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 項少華;穆苑龍;王俊力;魏有晨;王大甲;王沖
• 申請（專利權(quán)）人: 紹興中芯集成電路制造股份有限公司
• 主分類號: H03H9/54
• 分類號: H03H9/54
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，所述襯底上形成有第二電極和引出電極，以及在所述第二電極和所述引出電極上形成有電極間夾層，所述電極間夾層中還形成有接觸窗，所述接觸窗中暴露有所述引出電極；

在所述電極間夾層上形成第一電極，所述第一電極還形成在所述接觸窗中，以和所述引出電極電連接；

至少部分去除所述電極間夾層以暴露出部分所述引出電極，暴露有所述引出電極的區(qū)域構(gòu)成引出區(qū)；

形成光阻層，所述光阻層覆蓋在所述第一電極和所述電極間夾層的上方，并且所述光阻層的邊緣還相對于所述電極間夾層的邊緣橫向延伸至所述引出區(qū)，以懸空遮蓋部分所述引出區(qū)；

形成導(dǎo)電材料層，所述導(dǎo)電材料層覆蓋所述光阻層，以及所述導(dǎo)電材料層還覆蓋所述引出區(qū)中的引出電極；以及，

剝離所述光阻層，以去除所述導(dǎo)電材料層中覆蓋所述光阻層的部分，并保留所述導(dǎo)電材料層中形成在所述引出區(qū)中的部分，以構(gòu)成接觸墊。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，在形成所述第一電極之后，還包括在所述第一電極上形成鈍化層；

以及，形成所述引出區(qū)的方法，包括依次刻蝕所述鈍化層、所述第一電極和所述電極間夾層，以暴露出所述引出電極。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述光阻層具有傾斜側(cè)壁，以及所述光阻層中對應(yīng)于所述傾斜側(cè)壁的端部全部延伸至所述引出區(qū)。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述光阻層為負性光阻，以及所述光阻層的所述傾斜側(cè)壁由下至上依次更加延伸出。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述導(dǎo)電材料層中位于所述引出區(qū)中的部分構(gòu)成第一部分，所述導(dǎo)電材料層中覆蓋所述光阻層的部分構(gòu)成第二部分，以及所述第一部分和所述第二部分至少在所述電極間夾層的側(cè)壁相互分斷。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第一部分具有位于所述光阻層正下方的端部，所述第一部分的所述端部以朝向所述電極間夾層的方向厚度逐漸減小。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件包括體聲波諧振器，以及所述電極間夾層的材料包括壓電材料。

8.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

襯底；

第二電極，形成在所述襯底上；

引出電極，形成在所述襯底上，并與所述第二電極間隔設(shè)置；

電極間夾層，形成在所述襯底上并覆蓋所述第二電極和所述引出電極，以及所述電極間夾層中還形成有接觸窗，所述接觸窗貫穿所述電極間夾層以延伸至所述引出電極，并且所述電極間夾層還暴露出部分引出電極，以及從所述電極間夾層暴露出引出電極的區(qū)域構(gòu)成引出區(qū)；

第一電極，形成在所述電極間夾層上，并且所述第一電極和所述第二電極投影在同一水平面上的投影圖像至少部分重疊，以及所述第一電極還形成在所述接觸窗中，以和所述引出電極電性連接；以及，

接觸墊，形成在所述引出區(qū)中，以和所述引出電極電性連接。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件還包括鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述第一電極的頂表面，并且所述鈍化層、所述第一電極和所述電極間夾層在朝向所述引出區(qū)的側(cè)壁均齊平。

10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件包括體聲波諧振器。