[發(fā)明專利]發(fā)光裝置、發(fā)光裝置的制造方法及發(fā)光系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010066794.7 | 申請日: | 2016-02-18 |
| 公開(公告)號: | CN111263483B | 公開(公告)日: | 2023-04-07 |
| 發(fā)明(設計)人: | 高橋正樹;丹博樹;和氣范明 | 申請(專利權)人: | 日本先鋒公司;日本東北先鋒公司 |
| 主分類號: | H05B33/26 | 分類號: | H05B33/26;H05B33/10;H10K59/10 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 楊宏軍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發(fā)光 裝置 制造 方法 系統(tǒng) | ||
本申請涉及發(fā)光裝置、發(fā)光裝置的制造方法及發(fā)光系統(tǒng)。基板(100)具有透光性,發(fā)光部(140)在基板(100)上形成。發(fā)光部(140)具有第1電極(110)、有機層(120)、及第2電極(130)。有機層(120)位于第1電極(110)與第2電極(130)之間。第2電極(130)延伸至發(fā)光部(140)的外側。并且,第2電極(130)之中的、位于發(fā)光部(140)的外側的部分的至少端部被氧化。
本申請是申請日為2016年2月18日、發(fā)明名稱為“發(fā)光裝置、發(fā)光裝置的制造方法及發(fā)光系統(tǒng)”的中國發(fā)明專利申請No.201680011995.9(PCT申請?zhí)枮镻CT/JP2016/054726)的分案申請。
技術領域
本發(fā)明涉及發(fā)光裝置、發(fā)光裝置的制造方法及發(fā)光系統(tǒng)。
背景技術
近年來,開展對利用有機EL的發(fā)光裝置的開發(fā)。該發(fā)光裝置用作照明裝置、顯示裝置,且具有在第1電極與第2電極之間夾持有機層的構成。并且,通常,對于第1電極使用透明材料,對于第2電極使用金屬材料。
作為利用有機EL的發(fā)光裝置之一,包括專利文獻1中記載的技術。專利文獻1的技術中,為了使利用有機EL的顯示裝置具有光透過性(透視(see?through)),將第2電極僅設置于像素的一部分。在如上所述的構造中,由于位于多個第2電極之間的區(qū)域使光透過,因此,顯示裝置能夠具有光透過性。需要說明的是,在專利文獻1記載的技術中,在多個第2電極之間,為了劃分像素,而形成有透光性的絕緣膜。在專利文獻1中,作為該絕緣膜的材料,例示了氧化硅等無機材料、丙烯酸樹脂等樹脂材料。
另外,專利文獻2中記載了,將第2電極制成網(wǎng)眼狀、并規(guī)定網(wǎng)眼的節(jié)距(pitch),由此提高透過發(fā)光裝置的像的可視性。
現(xiàn)有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2011-23336號公報
專利文獻2:日本特開2014-154404號公報
發(fā)明內容
發(fā)明要解決的課題
為了使發(fā)光裝置具有光透過性,需要在發(fā)光裝置中設置未設置第2電極的區(qū)域。故而,需要使第2電極具有圖案。作為形成該圖案的方法,例如,包括在蒸鍍時使用掩膜的方法等。但是,在形成第2電極的圖案時,蒸鍍材料經(jīng)由掩膜與基板的間隙而蔓延、第2電極的端部向第2電極的外側擴展,結果,出現(xiàn)如下可能性,即未設置第2電極的區(qū)域變窄從而發(fā)光裝置的光透過性降低。
作為本發(fā)明要解決的課題,可舉出使得發(fā)光裝置的光透過性不會降低作為一個例子。
用于解決課題的手段
技術方案1記載的發(fā)明為一種發(fā)光裝置,所述發(fā)光裝置具有:
透光性的基板,和
在所述基板的第1表面形成的發(fā)光部,
所述發(fā)光部具有第1電極、第2電極、及位于所述第1電極與所述第2電極之間的有機層,
所述第2電極延伸至所述發(fā)光部的外側,并且所述第2電極之中的、位于所述發(fā)光部的外側的部分的至少端部被氧化。
技術方案10記載的發(fā)明為一種發(fā)光裝置的制造方法,具有:
在透光性的基板之上形成第1電極的工序,
形成絕緣層的工序,所述絕緣層覆蓋所述第1電極的邊緣、且劃分發(fā)光部,
在所述第1電極之上形成有機層的工序,
在所述有機層之上形成第2電極的工序,和
將所述第2電極之中的、位于所述發(fā)光部的外側的部分的端部氧化的工序。
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