[發明專利]一種晶圓解鍵合輔助載盤、解鍵合機及解鍵合方法有效
| 申請號: | 202010066736.4 | 申請日: | 2020-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN111244015B | 公開(公告)日: | 2023-07-21 |
| 發明(設計)人: | 司慶玲;左亞麗;黃建華;程岸;王彥碩;汪耀祖 | 申請(專利權)人: | 杭州立昂東芯微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司: | 浙江英普律師事務所 33238 | 代理人: | 郭錦春 |
| 地址: | 310000 浙江省杭州市杭*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶圓解鍵合 輔助 解鍵合機 解鍵合 方法 | ||
1.一種晶圓解鍵合輔助載盤,其特征在于,所述輔助載盤尺寸和晶圓尺寸相同,其上設有孔隙,所述輔助載盤設置在解鍵合機載盤和待解鍵合晶圓之間并包括一層以上載片,所述輔助載盤包括互相貼合的上層載片和下層載片,所述上層載片與待解鍵合晶圓接觸,所述下層載片與解鍵合機載盤接觸,所述上層載片的孔隙孔徑小于下層載片的孔隙孔徑,所述上層載片的平滑度高于下層載片,所述上層載片的孔隙孔徑范圍為10-25um,所述下層載片的孔隙孔徑范圍為30-70um,所述輔助載盤為碳化硅材料。
2.根據權利要求1所述的一種晶圓解鍵合輔助載盤,其特征在于,所述輔助載盤還包括中間層載片,所述中間層載片設在上層載片和下層載片之間,所述上層載片、中間層載片、下層載片的孔隙孔徑依次增大。
3.一種解鍵合機,其特征在于,所述解鍵合機包括權利要求1或2所述的輔助載盤。
4.基于權利要求1或2所述輔助載盤的一種解鍵合方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1、將待解鍵合晶圓放置在解鍵合機載盤上,至少在待解鍵合晶圓的晶圓一面和解鍵合機載盤之間放置所述輔助載盤,用真空吸住并進行加熱;
S2、在待解鍵合晶圓中間的鍵合膠融化后,解鍵合機上方載盤拉著待解鍵合晶圓的鍵合載片在水平方向上滑動,解鍵合機下方載盤通過所述輔助載盤吸住晶圓保持不動,待解鍵合晶圓的鍵合載片和晶圓完成解鍵合;
S3、更換或清洗所述輔助載盤,重復步驟S1、S2。
5.根據權利要求4述的一種解鍵合方法,其特征在于,所述步驟S1中,待解鍵合晶圓兩面和解鍵合機載盤之間都放置所述輔助載盤。
6.根據權利要求4或5所述的一種解鍵合方法,其特征在于,所述步驟S3中,僅更換或清洗所述輔助載盤的上層載片。
7.根據權利要求6所述的一種解鍵合方法,其特征在于,所述上層載片用溶劑清洗后重復使用。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





