[發明專利]半導體元件有效
| 申請號： | 202010066304.3 | 申請日： | 2020-01-20 |
| 公開（公告）號： | CN111490022B | 公開（公告）日： | 2023-09-22 |
| 發明（設計）人： | 黑川敦;小林一也 | 申請（專利權）人： | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號： | H01L23/482 | 分類號： | H01L23/482;H01L23/31;H01L29/737 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 金雪梅;王海奇 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 元件 | ||
1.一種半導體元件，具有：
半導體基板；
集電極層，設置在上述半導體基板上；
基極層，設置在上述集電極層上；
發射極層，設置在上述基極層上；
發射極布線，與上述發射極層電連接；
上部金屬層，設置在上述發射極布線上；
第一保護膜，覆蓋上述發射極布線以及上述上部金屬層，并且至少在與上述集電極層重疊的區域設置有第一開口；以及
凸塊，包括經由上述第一開口與上述發射極布線電連接的下部凸塊金屬層，且上述下部凸塊金屬層的俯視時的面積大于上述第一開口的面積，
上述第一保護膜的端部包圍上述第一開口，并且設置在上述上部金屬層上。
2.根據權利要求1所述的半導體元件，其中，
上述上部金屬層遍及與上述第一保護膜重疊的區域以及與上述第一開口重疊的區域而設置，
上述下部凸塊金屬層經由上述上部金屬層與上述發射極布線連接。
3.根據權利要求1所述的半導體元件，其中，
在上述上部金屬層的與上述第一開口重疊的區域具有第二開口，
上述下部凸塊金屬層經由上述第一開口以及上述第二開口直接與上述發射極布線連接。
4.根據權利要求3所述的半導體元件，其中，
上述上部金屬層的端部包圍上述第二開口，并在俯視時，位于上述第一保護膜的端部與上述集電極層的端部之間。
5.根據權利要求1～4中的任意一項所述的半導體元件，其中，
在上述第一開口的外側的區域，上述下部凸塊金屬層與上述第一保護膜的上表面接觸。
6.根據權利要求1～4中的任意一項所述的半導體元件，其中，
上述半導體元件具有設置在上述第一保護膜上的第二保護膜。
7.根據權利要求1～4中的任意一項所述的半導體元件，其中，
上述上部金屬層包含鎢、鈦、鉬、鉭、鎳、鉻的金屬中的任意一種以上的金屬，或者具有包含上述金屬中的任意一種以上的化合物、或者包含上述金屬中的任意一種以上的合金中的任意一個。
8.根據權利要求1～4中的任意一項所述的半導體元件，其中，
上述第一保護膜是無機絕緣膜，上述無機絕緣膜包含氮化硅或者氮氧化硅中的至少一個以上。
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