[發(fā)明專利]一種二維超薄BiOBr單晶納米片的制備方法及其應(yīng)用

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010066141.9
• 申請(qǐng)日: 2020-01-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111235632B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 熊杰;龔傳輝;儲(chǔ)雋偉;晏超貽;饒高峰;汪洋;陳心睿;劉雨晴;王顯福
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): C30B25/00
• 分類號(hào): C30B25/00;C30B29/22;C30B29/64;H01L31/032;H01L31/036;H01L31/18;G01J1/42
• 代理公司: 電子科技大學(xué)專利中心 51203
• 代理人: 吳姍霖

1.一種二維超薄BiOBr單晶納米片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：將BiBr₃粉末置于坩堝中，然后將坩堝放置于石英管上游第一加熱區(qū)中心；將覆蓋自然氧化后的銅箔的基片放置于石英管下游第二加熱區(qū)中心；

步驟2：將石英管內(nèi)部抽真空至0.1Pa以下，通入Ar氣使管內(nèi)氣壓保持常壓環(huán)境，然后繼續(xù)向管內(nèi)通入Ar氣作為載氣流；

步驟3：將第二加熱區(qū)升溫至380～400℃，保持1～60min后，再將第一加熱區(qū)升溫至220～275℃，反應(yīng)5～30min，反應(yīng)結(jié)束后冷卻至室溫，取出基片，即可在基片上得到所述的二維超薄BiOBr單晶納米片。

2.如權(quán)利要求1所述的二維超薄BiOBr單晶納米片的制備方法，其特征在于，步驟1所述BiBr₃粉末的質(zhì)量為2～50mg。

3.如權(quán)利要求1所述的二維超薄BiOBr單晶納米片的制備方法，其特征在于，步驟1所述自然氧化后的銅箔為將銅箔放置于室溫環(huán)境下1～2天后得到。

4.如權(quán)利要求1所述的二維超薄BiOBr單晶納米片的制備方法，其特征在于，步驟2所述Ar氣體的流速為25～50sccm。

5.如權(quán)利要求1所述的二維超薄BiOBr單晶納米片的制備方法，其特征在于，步驟3所述第二加熱區(qū)的升溫速率為10～25℃/min；第一加熱區(qū)的升溫速率為15～30℃/min。

6.如權(quán)利要求1所述的二維超薄BiOBr單晶納米片的制備方法，其特征在于，步驟3所述冷卻為自然冷卻或快速冷卻，所述快速冷卻的冷卻速率≥50℃/min。

7.一種采用如權(quán)利要求1～6任一所述制備方法得到的二維超薄BiOBr單晶納米片，其特征在于，所述二維超薄BiOBr單晶納米片生長(zhǎng)晶面為(00l)，厚度0.57nm～200nm，尺寸為0.5～70μm。

8.一種基于權(quán)利要求7所述二維超薄BiOBr單晶納米片制備光電探測(cè)器方法，其特征在于，將所述二維超薄BiOBr單晶納米片從基片上轉(zhuǎn)移至Si/SiO₂襯底，然后通過(guò)電子束曝光和熱蒸發(fā)制作電極，即可得到所需紫外光電器件。