[發(fā)明專利]陣列基板、顯示面板及顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010065397.8 | 申請(qǐng)日: | 2020-01-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111261721B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-11-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王超 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | TCL華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L29/786 | 分類號(hào): | H01L29/786;H01L27/32;H01L21/34 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 楊艇要 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括:
襯底;以及,
位于所述襯底一側(cè)的吸光層,所述吸光層用于連接發(fā)光器件;
其中,所述吸光層對(duì)所述發(fā)光器件照射在所述吸光層上的光的吸收能力大于所述吸光層對(duì)所述發(fā)光器件照射在所述吸光層上的光的反射能力;所述吸光層為導(dǎo)電材料制成,用于電性連接于所述發(fā)光器件;
所述吸光層包括第一吸光層及第二吸光層,所述第一吸光層位于所述第二吸光層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè),所述第一吸光層對(duì)所述發(fā)光器件照射在所述吸光層上的光的吸收能力大于所述第二吸光層對(duì)所述發(fā)光器件照射在所述吸光層上的光的吸收能力。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述吸光層的制備材料為銅鋅錫硫硒化合物、銅銦鎵硫硒化合物的其中一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,還包括:
位于所述襯底一側(cè)的有源層;
至少位于所述有源層一側(cè)的第一金屬層,所述第一金屬層包括對(duì)應(yīng)所述有源層設(shè)置的柵極;以及,
位于所述有源層及所述第一金屬層之間的柵極絕緣層;
其中,所述吸光層位于所述有源層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè),所述吸光層電性連接于所述有源層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述吸光層包括電性連接于所述有源層的源極和漏極,所述源極和漏極中的一個(gè)用于電性連接于所述發(fā)光器件。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述吸光層的厚度為大于或等于400埃米且小于或等于8000埃米。
6.一種顯示面板,其特征在于,包括如權(quán)利要求1~5任一項(xiàng)所述的陣列基板,以及發(fā)光器件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述發(fā)光器件包括位于所述吸光層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的陽(yáng)極和位于所述陽(yáng)極的遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)的陰極,以及位于所述陽(yáng)極和陰極之間的發(fā)光層;
其中,所述陽(yáng)極連接于所述吸光層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板為底發(fā)光型OLED顯示面板。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求6所述的顯示面板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的





