[發明專利]一種實驗用MOSFET管和BJT管級聯電壓放大電路

有效

• 申請號: 202010064763.8
• 申請日: 2020-01-20
• 公開（公告）號: CN111162765B
• 公開（公告）日: 2023-09-22
• 發明（設計）人: 羅珂;李全民;李亮
• 申請（專利權）人: 山東建筑大學
• 主分類號: H03K17/16
• 分類號: H03K17/16;H03K17/041
• 代理公司: 北京華際知識產權代理有限公司 11676
• 代理人: 褚慶森

1.一種實驗用MOSFET管和BJT管級聯電壓放大電路，包括MOSFET管Q1（1）、BJT管Q2（2）、偏置電位器RW1、偏置電位器RW2、第一電源正（3）、第二電源正（4）、電源地（5）和電源正（6）；其特征在于：所述MOSFET管Q1的漏極經負載電阻R4接于第一電源正上，Q1的源極依次經交直流負反饋電阻R5和直流反饋電阻R6接于電源地上，電阻R6的兩端并聯有交流旁路電容E3，Q1的柵極依次經輸入隔直電容E2和電阻R1接于輸入信號端in上；Q1的柵極經輸入隔離電阻R3接于偏置電位器RW1的可變電阻端，RW1的兩端分別接于第一電源正和電源地上，第一電源正與電源地之間連接有濾波電容E1；Q1的漏極上連接有輸出隔直電容E4，電容E4依次經針座JP2和Q1的交流負載電阻R7接于電源地上；

BJT管Q2的集電極經負載電阻R10接于第二電源正上，Q2的發射極依次經交直流負反饋電阻R11、直流反饋電阻R12接于電源地上，電阻R12的兩端并聯有交流旁路電容E9，Q2的基極經輸入隔離電阻R9接于偏置電位器RW2的可變電阻端，RW2的兩端分別接于第二電源正和電源地上，第二電源正與電源地之間連接有濾波電容E6；Q2的集電極端連接有輸出隔直電容E8，電容E8依次經針座JP7和交流負載電阻R13接于電源地上；Q2的基極連接有隔直電容E7；

電容E4經針座JP3與電容E7相連接，Q1的源極依次經交流負反饋支路電容E5、針座JP4、級聯反饋電阻R8與Q2的集電極相連接；電源正（6）與第一電源正（3）、第二電源正（4）之間分別串聯有針座JP6、針座JP5；

MOSFET管Q1單管放大時：僅插座JP6、JP2短接，其余插座處于斷開狀態，輸入信號in接于R1上，JP2接示波器，以觀察放大輸出的信號；通過調節偏置電位器RW1可使Q1工作于飽和失真、截止失真和正常放大工作狀態；

BJT管Q2單管放大時：僅插座JP5、JP7短接，其余插座處于斷開狀態，輸入信號經插座JP3右側的針接入，JP7接示波器，以觀察放大輸出的信號；通過調節偏置電位器RW2可使Q2工作于飽和失真、截止失真和正常放大工作狀態；

Q1和Q2級聯放大時：JP3、JP4、JP5、JP6和JP7均短接，JP2斷開，JP1短接，輸入信號in接于R1上，JP7接示波器，以顯示放大輸出的信號；通過調節偏置電位器RW1、偏置電位器RW2對Q1和Q2的放大狀態分別調節。

2.根據權利要求1所述的實驗用MOSFET管和BJT管級聯電壓放大電路，其特征在于：包括由二極管D1、發光二極管D2和電阻R14組成的電源反接報警保護電路，二極管D1的陰極與針座JP6和針座JP5相連接，陽極與電源正（6）相連接；發光二極管D2的陰極接于電源正上，陽極經電阻R14接于電源地上。

3.根據權利要求1或2所述的實驗用MOSFET管和BJT管級聯電壓放大電路，其特征在于：包括由穩壓二極管DZ2、電阻R15和發光二極管D3組成的超壓報警電路，穩壓二極管DZ2的陰極接于電源正（6）上，DZ2的陽極經電阻R15接于發光二極管D3的陽極，D3的陰極接于電源地（5）上。

4.根據權利要求1或2所述的實驗用MOSFET管和BJT管級聯電壓放大電路，其特征在于：包括由發光二極管LD1和發光二極管LD2組成的放大指示電路，LD1的陽極接于第一電源正（3）上，LD1的陰極經電阻R16接于電源地上，LD2的陽極接于第二電源正（4）上，LD2的陰極經電阻R17接于電源地上。

5.根據權利要求1或2所述的實驗用MOSFET管和BJT管級聯電壓放大電路，其特征在于：所述電阻R1與輸入隔直電容E2的連接處依次經針座JP1和電阻R2接于電源地（5）上，電阻R2與電阻R1的比值為1:100。