[發(fā)明專利]陣列基板及顯示裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010064637.2
• 申請(qǐng)日: 2020-01-20
• 公開（公告）號(hào): CN111244111A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾誠;李英宰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L27/32;H01L23/00
• 代理公司: 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 王輝;闞梓瑄

本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及顯示裝置。該陣列基板可包括：襯底基板；薄膜晶體管，形成在所述襯底基板的一側(cè)，所述薄膜晶體管包括依次形成在所述襯底基板上的半導(dǎo)體層、柵絕緣層、柵極、源漏極；其中：所述柵絕緣層中位于所述半導(dǎo)體層相對(duì)兩側(cè)的部位開設(shè)有過孔；所述薄膜晶體管還包括第一應(yīng)力吸收層，所述第一應(yīng)力吸收層形成在所述柵極遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)，并填充于所述過孔中；所述第一應(yīng)力吸收層能夠吸收所述陣列基板在彎折時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力。該方案可保證彎折區(qū)的畫質(zhì)，提高顯示效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及顯示裝置。

背景技術(shù)

OLED(Organic Light-Emitting Diode；有機(jī)發(fā)光二極管)顯示技術(shù)具有自發(fā)光、寬視角、廣色域、高對(duì)比度、輕薄、可折疊、可彎曲、輕薄易攜帶等特點(diǎn)，成為顯示領(lǐng)域研發(fā)的主要方向。

目前，OLED顯示產(chǎn)品可折疊、可彎曲的特性成為各廠商追求的新亮點(diǎn)。根據(jù)廠商要求，OLED顯示產(chǎn)品的折疊特性需達(dá)到：在特定折疊半徑的條件下，折疊30000～100000次后，折疊區(qū)域的顯示效果無異常。

但在OLED顯示產(chǎn)品折疊狀態(tài)下時(shí)，折疊區(qū)域的薄膜晶體管(TFT)和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)均會(huì)受到不同程度的應(yīng)力作用。當(dāng)OLED顯示產(chǎn)品長(zhǎng)期處于折疊狀態(tài)或者折疊次數(shù)過多時(shí)，容易造成折疊區(qū)域亮度不均，亮暗點(diǎn)等不良，降低了產(chǎn)品的畫質(zhì)。

所述背景技術(shù)部分公開的上述信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本申請(qǐng)的背景的理解，因此它可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)的目的在于提供一種陣列基板及顯示裝置，能夠提高顯示產(chǎn)品的畫質(zhì)。

為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本申請(qǐng)采用如下技術(shù)方案：

本申請(qǐng)第一方面提供了一種陣列基板，其包括：

襯底基板；

薄膜晶體管，形成在所述襯底基板的一側(cè)，所述薄膜晶體管包括依次形成在所述襯底基板上的半導(dǎo)體層、柵絕緣層、柵極、源漏極；其中：

所述柵絕緣層中位于所述半導(dǎo)體層相對(duì)兩側(cè)的部位開設(shè)有過孔；

所述薄膜晶體管還包括第一應(yīng)力吸收層，所述第一應(yīng)力吸收層形成在所述柵極遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)，并填充于所述過孔中；所述第一應(yīng)力吸收層能夠吸收所述陣列基板在彎折時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力。

在本申請(qǐng)的一種示例性實(shí)施例中，所述源漏極形成在所述第一應(yīng)力吸收層遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)，并依次穿過所述第一應(yīng)力吸收層和所述柵絕緣層以與所述半導(dǎo)體層的兩接觸區(qū)連接。

在本申請(qǐng)的一種示例性實(shí)施例中，所述薄膜晶體管還包括層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層形成在所述柵絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)并覆蓋所述柵極；且所述層間介質(zhì)層具有與所述過孔相對(duì)應(yīng)的通孔；其中：

所述第一應(yīng)力吸收層形成在所述層間介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)，并填充于所述通孔和所述過孔中；且所述源漏極形成在所述第一應(yīng)力吸收層遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)，并依次穿過所述第一應(yīng)力吸收層、所述層間介質(zhì)層和所述柵絕緣層以與所述半導(dǎo)體層的兩接觸區(qū)連接；

或

所述源漏極形成在所述層間介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)，并依次穿過所述層間介質(zhì)層和所述柵絕緣層以與所述半導(dǎo)體層的兩接觸區(qū)連接，所述第一應(yīng)力吸收層形成在所述層間介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)、并填充于所述通孔和所述過孔，且所述第一應(yīng)力吸收層覆蓋所述源漏極。

在本申請(qǐng)的一種示例性實(shí)施例中，所述柵絕緣層中位于所述半導(dǎo)體層相對(duì)兩側(cè)的部位均具有多個(gè)所述過孔。

在本申請(qǐng)的一種示例性實(shí)施例中，還包括：依次形成在所述薄膜晶體管遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的有機(jī)發(fā)光二極管和封裝薄膜；