[發明專利]測量晶圓套刻精度的方法和設備、計算機可讀存儲介質

有效

• 申請號: 202010064505.X
• 申請日: 2020-01-20
• 公開（公告）號: CN111290219B
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 吳振國;馮耀斌
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強

1.一種測量晶圓套刻精度的方法，所述晶圓包括前層圖案層及層疊于所述前層圖案層的當前圖案層，所述當前圖案層與所述前層圖案層均設有若干一一對應的溝道孔，其特征在于，包括：

確定測量所述晶圓套刻精度的第一測試點及第二測試點，所述第一測試點與所述第二測試點相對所述晶圓中心對稱；

分別獲取所述第一測試點及所述第二測試點對應的圖形重合信號；其中，每個所述圖形重合信號均包括第一圖形信號及第二圖形信號，所述第一圖形信號不同于所述第二圖形信號，且所述第一測試點的第一圖形信號與所述第二測試點的第一圖形信號相反；

根據所述第一測試點的圖形重合信號得到所述第一測試點的套刻精度，及根據所述第二測試點的圖形重合信號得到所述第二測試點的套刻精度；其中，每個所述套刻精度均包括第一套刻值及第二套刻值，所述第一套刻值與所述第一圖形信號一一對應，所述第二套刻值與所述第二圖形信號一一對應，且所述第一測試點的第一套刻值與所述第二測試點的第一套刻值相反；

比對所述第一測試點的圖形重合信號與所述第二測試點的圖形重合信號，抵消所述第一測試點的第一圖形信號與所述第二測試點的第一圖形信號，以得到單純的第二圖形信號；

比對所述第一測試點的套刻精度與所述第二測試點的套刻精度，抵消所述第一測試點的第一套刻值與第二測試點的第一套刻值，以得到單純的第二套刻值；

確定所述單純的第二圖形信號與所述單純的第二套刻值的對應關系；其中，根據所述第一測試點的第二圖形信號及所述單純的第二圖形信號與所述單純的第二套刻值的對應關系，能夠得到所述第一測試點的第二套刻值；

其中，所述第一圖形信號為所述當前圖案層相對所述前層圖案層由第一因素產生的圖形信號，所述第二圖形信號為所述當前圖案層相對所述前層圖案層由第二因素產生的圖形信號，所述第二因素不同于所述第一因素。

2.如權利要求1所述的測量晶圓套刻精度的方法，其特征在于，所述第一因素為形成貫穿所述當前圖案層中各溝道孔的刻蝕過程，所述第二因素為形成所述當前圖案層中各溝道孔圖案的光罩過程。

3.如權利要求1所述的測量晶圓套刻精度的方法，其特征在于，所述第一測試點及所述第二測試點的數量均為N個，N為大于或等于3的整數，所述測量晶圓套刻精度的方法包括：

確定N對單純的第二圖形信號與單純的第二套刻值的對應關系；

根據所述N對單純的第二圖形信號與單純的第二套刻值的對應關系的變化趨勢，確定標準第二圖形信號與標準第二套刻值的對應關系。

4.如權利要求3所述的測量晶圓套刻精度的方法，其特征在于，所述確定標準第二圖形信號與標準第二套刻值的對應關系之后，所述測量晶圓套刻精度的方法還包括：

獲取待測點的圖形重合信號，并區分所述待測點的第一圖形信號與所述待測點的第二圖形信號；

根據所述標準第二圖形信號與所述標準第二套刻值的對應關系，確定所述待測點的第二套刻值。

5.如權利要求3所述的測量晶圓套刻精度的方法，其特征在于，在所述確定標準第二圖形信號與標準第二套刻值的對應關系之后，所述測量晶圓套刻精度的方法還包括：

確定標準第一圖形信號與標準第一套刻值的對應關系；其中，所述標準第一圖形信號為所述當前圖案層相對所述前層圖案層僅由第一因素產生的圖形信號，所述標準第一套刻值為所述當前圖案層相對所述前層圖案層僅由所述第一因素產生的對準偏差值。

6.如權利要求5所述的測量晶圓套刻精度的方法，其特征在于，所述確定標準第一圖形信號與標準第一套刻值的對應關系之后，所述測量晶圓套刻精度的方法還包括：

獲取待測點的圖形重合信號，并區分所述待測點的第一圖形信號與所述待測點的第二圖形信號；

根據所述標準第一圖形信號與所述標準第一套刻值的對應關系，確定所述待測點的第一套刻值。