[發明專利]一種利用離子束濺射沉積獲得單晶氮化硼薄膜的方法在審
| 申請號： | 202010063893.X | 申請日： | 2020-01-20 |
| 公開（公告）號： | CN111139526A | 公開（公告）日： | 2020-05-12 |
| 發明（設計）人： | 蘭偉;馬凌霄;董晨浩;張興旺 | 申請（專利權）人： | 蘭州大學 |
| 主分類號： | C30B29/40 | 分類號： | C30B29/40;C30B23/02;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京輕創知識產權代理有限公司 11212 | 代理人： | 王歡 |
| 地址： | 730000 甘肅*** | 國省代碼： | 甘肅;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 利用 離子束 濺射 沉積 獲得 氮化 薄膜 方法 | ||
1.一種利用離子束濺射沉積獲得單晶氮化硼薄膜的方法,其特征在于，包括：
S1.使用丙酮、乙醇和去離子水依次超聲清洗單晶襯底；
S2.將清洗的單晶襯底浸入氫氟酸溶液中處理；
S3.將高純Ni靶安置在直流磁控濺射儀的靶位上，在單晶襯底上外延生長Ni(111)取向的薄膜；
S4.將鎳/單晶襯底固定在樣品托上，置入離子束濺射沉積設備的生長腔室中，于氫氣氛圍中處理薄膜，于氬氣氛圍中進行薄膜生長；
S5.將生長的薄膜冷卻，獲得大尺寸單晶氮化硼薄膜。
2.根據權利要求1所述的一種利用離子束濺射沉積獲得單晶氮化硼薄膜的方法,其特征在于：所述S1中，使用丙酮、乙醇和去離子水依次超聲清洗時，每次清洗結束后用去離子水沖洗，最后干燥處理。
3.根據權利要求1所述的一種利用離子束濺射沉積獲得單晶氮化硼薄膜的方法,其特征在于：所述S2中單晶襯底浸入氫氟酸溶液中20s～30s后，再用去離子水沖洗，最后將單晶襯底干燥處理。
4.根據權利要求1所述的一種利用離子束濺射沉積獲得單晶氮化硼薄膜的方法,其特征在于：所述S3中，高純Ni靶的純度為99.99％。
5.根據權利要求1所述的一種利用離子束濺射沉積獲得單晶氮化硼薄膜的方法,其特征在于：所述S4還包括：
S401.將鎳/單晶襯底固定在樣品托上，置入離子束濺射沉積設備的生長腔室中，將腔室真空抽至3.75×10-3mTor；
S402.向反應腔室中通入氫氣，鎳/單晶襯底升溫后退火；
S403.關閉氫氣閥門，通入氬氣，待氣壓穩定后，開啟爐盤旋轉和主離子源,產生Ar離子；
S404.設定濺射偏壓、加速電壓和陽極電壓，調節陰極燈絲電流，進行薄膜生長。
6.根據權利要求1所述的一種利用離子束濺射沉積獲得單晶氮化硼薄膜的方法,其特征在于：所述S5中，將生長的薄膜在氬氣中自然冷卻至室溫。
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