[發明專利]一種efuse熔絲的版圖結構有效
| 申請號: | 202010063863.9 | 申請日: | 2020-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN111276478B | 公開(公告)日: | 2022-06-14 |
| 發明(設計)人: | 張黎;晏穎 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L23/62 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴廣志 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 efuse 版圖 結構 | ||
1.一種efuse熔絲的版圖結構,其特征在于,至少包括:
包含有熔絲本體的中間金屬層;分別分布于所述中間金屬層的上方和下方與所述中間金屬層相鄰的相鄰金屬層,所述相鄰金屬層通過位于所述相鄰金屬層與所述中間金屬層之間的通孔與所述中間金屬層上的熔絲本體連接;
分別分布于所述相鄰金屬層上方和下方的次相鄰金屬層,所述次相鄰金屬層上包含有焊盤;所述焊盤通過位于所述次相鄰金屬層與所述相鄰金屬層之間的通孔與該相鄰金屬層連接;
所述熔絲本體的形狀呈條形,其在所述中間金屬層平面內的長度為1.16微米;所述焊盤形狀為矩形,其在所述次相鄰金屬層平面內的長度為0.32微米,寬度為0.15微米。
2.根據權利要求1所述的efuse熔絲的版圖結構,其特征在于:所述熔絲本體的兩端通過所述通孔連接于所述相鄰金屬層。
3.根據權利要求2所述的efuse熔絲的版圖結構,其特征在于:所述熔絲本體的兩端分別通過呈單排分布的多個通孔連接至所述相鄰金屬層。
4.根據權利要求3所述的efuse熔絲的版圖結構,其特征在于:所述相鄰金屬層通過呈單排分布的多個通孔連接至所述次相鄰金屬層。
5.根據權利要求4所述的efuse熔絲的版圖結構,其特征在于:連接所述熔絲本體和所述相鄰金屬層的所述單排通孔與連接所述相鄰金屬層與所述焊盤的所述呈單排分布的通孔在垂直方向上投影重疊。
6.根據權利要求5所述的efuse熔絲的版圖結構,其特征在于:呈單排分布的所述通孔在各自所在的平面彼此等間隔排布。
7.根據權利要求6所述的efuse熔絲的版圖結構,其特征在于:所述次相鄰金屬層上分別包含有1個焊盤。
8.根據權利要求7所述的efuse熔絲的版圖結構,其特征在于:所述通孔的大小和形狀彼此相同。
9.根據權利要求8所述的efuse熔絲的版圖結構,其特征在于:所述通孔的橫截面形狀為矩形。
10.根據權利要求9所述的efuse熔絲的版圖結構,其特征在于:所述通孔的一條邊長為50nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





