[發(fā)明專利]在光刻膠表面制備亞波長(zhǎng)納米結(jié)構(gòu)的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010063144.7 | 申請(qǐng)日： | 2020-01-19 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN111591954A | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-08-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉穎;楊高元;洪義麟 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | B81B7/04 | 分類號(hào)： | B81B7/04;B81C1/00;G03F7/16 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 吳夢(mèng)圓 |
| 地址： | 230026 安*** | 國(guó)省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光刻 表面 制備 波長(zhǎng) 納米 結(jié)構(gòu) 方法 | ||
1.一種在光刻膠表面制備亞波長(zhǎng)納米結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，包括以下步驟：
在一基底上涂覆光刻膠，經(jīng)固化得到光刻膠薄膜樣品；
將離子束按照設(shè)置的離子束參數(shù)轟擊所述光刻膠薄膜樣品的表面，得到亞波長(zhǎng)納米結(jié)構(gòu)，其中所述離子束參數(shù)包括離子束入射角θ，取值為30°～70°。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻膠亞波長(zhǎng)納米結(jié)構(gòu)為納米波紋或納米錐，平均周期在30～220nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述離子束參數(shù)還包括：離子能量E，取值為200eV～800eV；離子轟擊時(shí)間t，取值為10～70min；束流密度J，取值為200～500μA/cm2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述離子束是在真空條件下將刻蝕氣體通過(guò)離子源而產(chǎn)生，所述離子源選自考夫曼型離子源、電感耦合射頻離子源或電子回旋共振離子源。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述離子源口徑在50mm以上，且離子束發(fā)散度為15°～20°。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述刻蝕氣體選自不與光刻膠發(fā)生反應(yīng)的氣體中的一種或多種，優(yōu)選選自氦、氖、氬、氪、氙。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底選自金屬基底、金屬氧化物基底、硅基底、氮化硅基底、玻璃基底中的一種，其中所述金屬基底優(yōu)選選自Au、Ag、Cu、Al或Fe基底，所述金屬氧化物基底優(yōu)選選自TiO2、ZnO或Al2O3基底，所述玻璃基底優(yōu)選為熔石英基底；
所述光刻膠選自AZ系列光刻膠、SU-8光刻膠、電子束光刻膠和極紫外光刻用光刻膠中的一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，固化后的光刻膠厚度為300～1600nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻膠基底為平面基底或曲面基底；
當(dāng)所述光刻膠基底是曲面基底，則根據(jù)基底的曲率半徑設(shè)計(jì)相應(yīng)的離子束與基底的相對(duì)運(yùn)動(dòng)路徑，通過(guò)所述相對(duì)運(yùn)動(dòng)路徑來(lái)調(diào)整離子束入射角，以保證獲得相應(yīng)的光刻膠納米結(jié)構(gòu)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)，未經(jīng)中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010063144.7/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
