[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲器裝置及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010062763.4
• 申請日: 2020-01-20
• 公開（公告）號: CN112234068A
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳星來;金東赫;樸泰成;丁壽男
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11582;H01L27/11524;H01L27/11556
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 趙赫;王璇

1.一種半導(dǎo)體存儲器裝置，包括：

層疊件，設(shè)置在襯底上方并具有單元區(qū)域和連接區(qū)域；

多個溝道結(jié)構(gòu)，穿過所述單元區(qū)域中的所述層疊件；以及

多個狹縫，

所述層疊件包括：

多個第一介電層；

多個電極層，在所述單元區(qū)域中和所述連接區(qū)域的外圍中與所述多個第一介電層交替堆疊；以及

多個第二介電層，在所述連接區(qū)域的中央與所述多個第一介電層交替堆疊，

其中所述連接區(qū)域中狹縫之間的距離大于所述單元區(qū)域中狹縫之間的距離，并且

其中在所述連接區(qū)域的外圍與中央的交叉處，所述多個電極層中的一個電極層和所述多個第二介電層中的一個第二介電層彼此接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，進一步包括：

多個接觸插塞，穿過所述連接區(qū)域的中央的第一介電層和第二介電層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，進一步包括：

多條位線，設(shè)置在所述層疊件上方并通過多個位線接觸部連接到所述多個溝道結(jié)構(gòu)，

其中所述多條位線在第二方向上延伸并且在第一方向上間隔開，所述第一方向與所述第二方向交叉。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，

其中所述單元區(qū)域包括在所述第一方向上彼此間隔開的第一單元區(qū)域和第二單元區(qū)域，

其中所述連接區(qū)域設(shè)置在所述第一單元區(qū)域和所述第二單元區(qū)域之間，并且

其中所述狹縫包括：

多個第一狹縫，在所述第一單元區(qū)域和所述第二單元區(qū)域以及所述連接區(qū)域中在所述第一方向上延伸，并且在所述第二方向上間隔開；以及

多個第二狹縫，在所述第一單元區(qū)域和所述第二單元區(qū)域中在所述第一方向上延伸，

其中所述多個第二狹縫中的至少一個第二狹縫位于所述第一單元區(qū)域和所述第二單元區(qū)域中相鄰的第一狹縫之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，其中所述第一狹縫以存儲塊為單位來劃分所述層疊件和溝道結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，其中第二狹縫在所述第一單元區(qū)域和所述第二單元區(qū)域中以小于存儲塊的單位來劃分所述層疊件和溝道結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，

其中電極層包括多條漏極選擇線、多條源極選擇線以及設(shè)置在所述漏極選擇線和所述源極選擇線之間的多條字線，并且

其中所述漏極選擇線中的至少一條漏極選擇線從所述連接區(qū)域中被切除。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，其中所述層疊件具有臺階結(jié)構(gòu)，所述臺階結(jié)構(gòu)在第一單元區(qū)域和第二單元區(qū)域的與所述連接區(qū)域相鄰的端部具有所述漏極選擇線的多個焊盤區(qū)域。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，其中所述層疊件具有臺階結(jié)構(gòu)，所述臺階結(jié)構(gòu)在所述連接區(qū)域的與第一單元區(qū)域和第二單元區(qū)域相鄰的端部具有所述漏極選擇線的多個焊盤區(qū)域。

10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，

其中所述單元區(qū)域包括在所述第二方向上彼此間隔開的第一單元區(qū)域和第二單元區(qū)域，

其中所述連接區(qū)域設(shè)置在所述第一單元區(qū)域和所述第二單元區(qū)域之間，并且

其中所述狹縫在所述第一方向上延伸并且在所述第二方向上間隔開。

11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲器裝置，進一步包括：

細長區(qū)域，在所述第二方向上與所述連接區(qū)域相鄰，

其中所述單元區(qū)域在所述第一方向上與所述連接區(qū)域相鄰，并且在所述第一方向上與所述細長區(qū)域相鄰，

其中電極層在所述第一方向上以不同的長度從所述單元區(qū)域向所述細長區(qū)域延伸，并且

其中電極層中的每個電極層具有與位于電極層上的另一電極層交錯的暴露的焊盤區(qū)域。