[發明專利]一種光電器件及其制備方法

在審

• 申請號: 202010062641.5
• 申請日: 2020-01-20
• 公開（公告）號: CN113140677A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 柯友;郭薔
• 申請（專利權）人: 納晶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 寧波聚禾專利代理事務所(普通合伙) 33336
• 代理人: 顧賽喜;糜婧

1.一種光電器件，其特征在于，包括陽極層、陰極層以及功能層，所述功能層設于所述陽極層和所述陰極層之間，所述功能層包括空穴傳輸層、界面層以及鈣鈦礦層，所述界面層設于所述空穴傳輸層和所述鈣鈦礦層之間，所述界面層的材料為兩性離子聚合物，所述兩性離子聚合物具有正電荷基團和負電荷基團。

2.根據權利要求1所述的光電器件，其特征在于，所述正電荷基團為含N、C、S或P的陽離子基團。

3.根據權利要求2所述的光電器件，其特征在于，所述負電荷基團為磷酸根、磷酸酯根、亞磷酸根、羧酸根、磺酸根、硫酸根或磺酰胺根。

4.根據權利要求3所述的光電器件，其特征在于，所述兩性離子聚合物的化學結構如式(1)～(3)中任一所示：

其中，x＝0～10，n＝10～1000，R^⊕為兩性離子聚合物中的正電荷基團,為兩性離子聚合物中的負電荷基團。

5.根據權利要求1～4中任一所述的光電器件，其特征在于，所述界面層的膜厚為1～10nm。

6.根據權利要求1～4中任一所述的光電器件，其特征在于，所述空穴傳輸層為PEDOT：PSS層。

7.根據權利要求1～4中任一所述的光電器件，其特征在于，所述鈣鈦礦層中的材料結構通式為ABX₃，其中，A為金屬陽離子或烷基銨鹽，A為Cs⁺，K⁺，Rb⁺，R¹NH₃⁺或NH₂R²NH₂⁺，R¹為CnH2n+1，n≥1，R²為CnHn，n≥1；X為鹵素陰離子，X選自Cl^-、Br^-或I^-中的至少一個；B為二價金屬離子，B選自Cu²⁺、Ni²⁺、Co²⁺、Fe²⁺、Mn²⁺、Cr²⁺、Pd²⁺、Cd²⁺、Ge²⁺、Sn²⁺、Pb²⁺、Eu²⁺、Bi²⁺、Sb²⁺、Yb²⁺中的至少一個。

8.根據權利要求1～4中任一所述的光電器件，其特征在于，所述功能層進一步包括電子傳輸層和電子注入層，所述電子傳輸層設于所述鈣鈦礦層和所述電子注入層之間，所述電子注入層設于所述電子傳輸層和所述陰極層之間，所述電子注入層的膜厚為1～10nm，所述光電器件為電致發光器件。

9.根據權利要求1～4中任一所述的光電器件，其特征在于，所述功能層進一步包括電子傳輸層，所述電子傳輸層設于所述鈣鈦礦層和所述陰極層之間，所述光電器件為太陽能電池。

10.一種如權利要求1～9中任一所述的光電器件的制備方法，其特征在于，包括步驟：

S1提供具有第一電極層的基片，所述第一電極層為所述陽極層或所述陰極層；

S2在所述第一電極層上自下而上依次設置所述空穴傳輸層的材料、所述界面層的材料以及所述鈣鈦礦層的材料；

S3在所述鈣鈦礦層上設置第二電極層的材料。