[發明專利]寬光譜吸收的薄膜太陽能電池及光伏發電裝置

有效

• 申請號: 202010062397.2
• 申請日: 2020-01-20
• 公開（公告）號: CN110875399B
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 楊月;朱永剛;李紅恩;胡一知
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學（深圳）
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236;H01L31/0224;H02S40/36
• 代理公司: 珠海市君佳知識產權代理事務所(普通合伙) 44644
• 代理人: 段建軍

1.一種寬光譜吸收的薄膜太陽能電池，包括前電極層、光吸收層、背電極層以及基底層；其特征在于：所述前電極層遠離所述光吸收層的表面分散分布有非金屬材質的微納米球，所述微納米球的半徑為15nm-150nm；所述背電極層的內部分散分布有金屬材質的微納米半球，所述微納米半球的半徑為25nm-250nm，且所述微納米半球與所述光吸收層之間的間距為10nm-100nm；所述前電極層與所述光吸收層之間以及所述背電極層與所述光吸收層之間均形成平整的面接觸。

2.根據權利要求1所述的寬光譜吸收的薄膜太陽能電池，其特征在于：所述非金屬為選自氮化硅、二氧化硅、二氧化鈦、氟化鋰、氟化鎂和氧化鋅中的一種或多種。

3.根據權利要求1所述的寬光譜吸收的薄膜太陽能電池，其特征在于：所述金屬為選自鋁、銀和金中的一種或多種。

4.根據權利要求1所述的寬光譜吸收的薄膜太陽能電池，其特征在于：所述非金屬為二氧化硅或氮化硅，所述金屬為銀。

5.根據權利要求1所述的寬光譜吸收的薄膜太陽能電池，其特征在于：所述微納米球的半徑為40nm-90nm。

6.根據權利要求1所述的寬光譜吸收的薄膜太陽能電池，其特征在于：所述微納米半球的半徑為80nm-120nm。

7.根據權利要求1所述的寬光譜吸收的薄膜太陽能電池，其特征在于：所述微納米半球的半徑大于所述微納米球的半徑。

8.根據權利要求1所述的寬光譜吸收的薄膜太陽能電池，其特征在于：所述微納米球之間的間距為30nm-500nm，所述微納米半球之間的間距為10nm-400nm。

9.根據權利要求8所述的寬光譜吸收的薄膜太陽能電池，其特征在于：所述微納米球之間的間距為50nm-200nm，所述微納米半球之間的間距為30nm-100nm。

10.一種光伏發電裝置，包括太陽能電池組件、控制器、蓄電池組和直流-交流逆變器，其特征在于：所述太陽能電池組件包括多個根據權利要求1至9任一項所述的薄膜太陽能電池，所述薄膜太陽能電池之間通過導線電連接。