[發明專利]一種制備薄膜的方法及應用

有效

• 申請號: 202010061165.5
• 申請日: 2020-01-19
• 公開（公告）號: CN113140450B
• 公開（公告）日: 2022-04-05
• 發明（設計）人: 李真宇;張秀全;楊超;李洋洋;張濤
• 申請（專利權）人: 濟南晶正電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L21/18;H01L21/02;H01L41/39
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 逯長明;許偉群

1.一種制備薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

向薄膜材料的鍵合面中進行離子注入，所得離子注入層為曲面；

分別對薄膜材料以及襯底材料的鍵合面進行表面處理，將二者鍵合；

對鍵合后的鍵合體進行熱處理，使薄膜材料沿呈曲面的離子注入層剝離。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述離子注入層為穹頂形曲面。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述離子注入面向所述鍵合面凸出。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述向薄膜材料中進行離子注入包括：

在薄膜材料的鍵合面上制作預制體；

貫穿所述預制體向薄膜材料中進行離子注入；

離子注入完成后去除預制體。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述預制體的離子注入面為曲面。

6.根據權利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述預制體的面型以及曲面參數與拋光平面單晶薄膜后所形成曲面的面型以及曲面參數分別對應匹配。

7.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述預制體與薄膜材料理化參數接近或者相同。

8.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述預制體根據包括以下步驟的方法制備：

在所述薄膜材料的鍵合面上制作預制體基體，

對所述預制體基體進行后處理，所述后處理方式與對單晶薄膜的后處理方式相同。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述預制體基體的厚度略大于對所述預制體基體后處理所除去的厚度。

10.根據權利要求8或9所述的方法，其特征在于，對所述預制體后處理除去的厚度與對襯底材料上所形成單晶薄膜后處理除去的厚度匹配。

11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法在薄膜材料沿呈曲面的離子注入層剝離后還包括：

對襯底材料上剝離所得的單晶薄膜進行后處理。

12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，對所述單晶薄膜后處理完成后，所述單晶薄膜為平面。

13.一種單晶薄膜，其特征在于，所述單晶薄膜由權利要求1至12任一項所述方法制備。

14.一種晶圓，其特征在于，所述晶圓包括襯底和權利要求13所述單晶薄膜，所述單晶薄膜附著于所述襯底的表面。