[發明專利]一種信號放大電路和有源偏置電路

有效

• 申請號: 202010061115.7
• 申請日: 2020-01-19
• 公開（公告）號: CN111200407B
• 公開（公告）日: 2023-05-02
• 發明（設計）人: 蘇強;牛旭;奕江濤
• 申請（專利權）人: 廣州慧智微電子股份有限公司
• 主分類號: H03F3/24
• 分類號: H03F3/24;H03F1/00
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 賈偉;張穎玲

1.一種信號放大電路，其特征在于，包括：有源偏置電路和射頻放大電路；

所述有源偏置電路包括第一支路、與所述第一支路并聯的第二支路和恒流源，所述第二支路包括運算放大器，所述有源偏置電路通過所述運算放大器輸出偏置電壓；所述運算放大器的同相輸入端與所述恒流源連接，所述運算放大器的反相輸入端與所述運算放大器的輸出端連接；

所述射頻放大電路與所述有源偏置電路連接，用于在所述偏置電壓的作用下，實現對輸入至所述信號放大電路的輸入信號進行放大；所述射頻放大電路包括第二晶體管，所述第二晶體管的第一端與所述運算放大器相連；

其中，所述運算放大器包括第一穩壓支路和第二穩壓支路；

所述第一穩壓支路包括第一三極管和第一MOS管；其中，所述第一三極管的基極與所述恒流源連接，所述第一三極管的集電極與所述第一MOS管的漏極和柵極分別連接；

所述第二穩壓支路包括第二三極管和第二MOS管；其中，所述第二三極管的基極和集電極分別與所述第二MOS管的漏極連接；

所述第一MOS管的柵極與所述第二MOS管的柵極連接；

所述第一MOS管的源極與所述第二MOS管的源極連接。

2.根據權利要求1所述的信號放大電路，其特征在于，所述第一支路包含至少一個晶體管，所述晶體管的集電極分別與恒流源和所述晶體管的基極連接，所述晶體管的發射極接地。

3.根據權利要求1所述的信號放大電路，其特征在于，所述有源偏置電路還包括電阻；

所述電阻的第一端與所述運算放大器的輸出端相連，所述電阻的第二端與所述射頻放大電路相連；

所述電阻用于調整所述偏置電壓的大小。

4.根據權利要求1所述的信號放大電路，其特征在于，所述射頻放大電路包括依次連接的射頻信號輸入電路、射頻信號放大電路和射頻信號輸出電路；

所述射頻信號放大電路，用于對所述射頻信號輸入電路輸入的射頻信號進行信號放大處理，得到放大信號，并通過所述射頻信號輸出電路輸出所述放大信號。

5.根據權利要求1所述的信號放大電路，其特征在于，所述運算放大器包括第三穩壓支路、第四穩壓支路和第五穩壓支路；

所述第三穩壓支路包括第三MOS管和第四MOS管；其中，所述第三MOS管的柵極與恒流源連接，所述第三MOS管的漏極與所述第四MOS管的漏極和柵極分別連接；

所述第四穩壓支路包括第五MOS管和第六MOS管；其中，所述第五MOS管的漏極與所述第六MOS管的漏極連接；

所述第五穩壓支路包括第七MOS管；其中，所述第七MOS管的漏極與所述第五MOS管的柵極連接，所述第七MOS管的柵極與所述第四MOS管和所述第六MOS管的漏極分別連接。

6.根據權利要求5所述的信號放大電路，其特征在于，所述第四MOS管的柵極與所述第六MOS管的柵極連接；所述第四MOS管的源極與所述第六MOS管和所述第七MOS管的源極分別連接；

所述第三穩壓支路、所述第四穩壓支路和所述第五穩壓支路集成在同一晶元上。

7.根據權利要求1至6任一項所述的信號放大電路，其特征在于，所述有源偏置電路與所述射頻放大電路集成在同一芯片上。

8.一種有源偏置電路，其特征在于，包括：第一支路和與所述第一支路并聯的第二支路和恒流源；

所述第二支路中包括運算放大器，所述有源偏置電路通過所述運算放大器至少向射頻放大電路輸出偏置電壓；所述運算放大器的同相輸入端與所述恒流源連接，所述運算放大器的反相輸入端與所述運算放大器的輸出端連接；所述射頻放大電路包括第二晶體管，所述第二晶體管的第一端與所述運算放大器相連；

其中，所述運算放大器包括第一穩壓支路和第二穩壓支路；

所述第一穩壓支路包括第一三極管和第一MOS管；所述第一三極管的基極與所述恒流源連接，所述第一三極管的集電極與所述第一MOS管的漏極和柵極分別連接；

所述第二穩壓支路包括第二三極管和第二MOS管；其中，所述第二三極管的基極和集電極分別與所述第二MOS管的漏極連接；

所述第一MOS管的柵極與所述第二MOS管的柵極連接；

所述第一MOS管的源極與所述第二MOS管的源極連接。