[發(fā)明專利]一種電磁裝置及電磁控制方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010060801.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-01-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111024136A | 公開(公告)日: | 2020-04-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 胥鳳山 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 胥鳳山 |
| 主分類號(hào): | G01D5/14 | 分類號(hào): | G01D5/14 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 024000 內(nèi)蒙古自治*** | 國省代碼: | 內(nèi)蒙古;15 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電磁 裝置 控制 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種電磁裝置及電磁控制方法,包括磁體、導(dǎo)電體和動(dòng)力系統(tǒng),所述導(dǎo)電體,設(shè)置/運(yùn)動(dòng)于所述永磁體極或/和面的不同分區(qū);當(dāng)所述導(dǎo)電體通電后產(chǎn)生磁力與所述磁體的磁力產(chǎn)生相互作用,在磁體的不同分區(qū),導(dǎo)電體表現(xiàn)為位置、距離、速度、方向等力學(xué)指標(biāo)改變不同或?qū)щ婓w的電阻、電流、電壓等電學(xué)指標(biāo)改變不同,導(dǎo)電體為導(dǎo)體、超導(dǎo)體、半導(dǎo)體、拓?fù)浣^緣體、鐵磁體、反鐵磁體、鐵電單晶、半金屬、單質(zhì)、化合物及由導(dǎo)電體構(gòu)成的磁控原件等,本發(fā)明涉及電磁技術(shù)領(lǐng)域。該電磁裝置結(jié)構(gòu)簡單,制作容易,應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,且電、磁互控方法簡單,拓展了電磁技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域,對(duì)進(jìn)一步研究和完善電磁作用機(jī)理等也有幫助。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電磁技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種電磁裝置及電磁控制方法。
背景技術(shù)
現(xiàn)有與磁相關(guān)的技術(shù)大都是根據(jù)電生磁和磁生電的電磁感應(yīng)現(xiàn)象開發(fā)的,前人們研究了電與磁之間的相互作用力,發(fā)現(xiàn)了符合左手定則的安培力,發(fā)現(xiàn)同名磁極相斥、異名磁極相吸等磁的特性,但是之后無有關(guān)磁的特性的重要發(fā)現(xiàn),限制了磁體的應(yīng)用,特別是電控磁和磁控電方面的技術(shù)應(yīng)用。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述不足,本申請(qǐng)對(duì)磁體與導(dǎo)電體的相互作用進(jìn)行了深入研究,發(fā)現(xiàn)磁體極面或非極面對(duì)導(dǎo)電體作用力具有分區(qū)特性;
據(jù)此提出了一種電磁裝置,其包括:
磁體;
導(dǎo)電體,設(shè)置/運(yùn)動(dòng)于所述磁體極/和面的不同分區(qū);
動(dòng)力系統(tǒng);
當(dāng)所述導(dǎo)電體通電后產(chǎn)生磁力與所述磁體的磁力產(chǎn)生相互作用,在磁體的不同分區(qū),導(dǎo)電體表現(xiàn)為位置、距離、速度、方向等力學(xué)指標(biāo)改變不同;
當(dāng)所述導(dǎo)電體運(yùn)動(dòng)于所述磁體極/和面的不同分區(qū)時(shí),所述導(dǎo)電體的電阻、電流、電壓等電學(xué)指標(biāo)產(chǎn)生變化。
優(yōu)選的,所述導(dǎo)電體為導(dǎo)體、超導(dǎo)體、半導(dǎo)體、拓?fù)浣^緣體、鐵磁體、反鐵磁體、鐵電單晶、半金屬、單質(zhì)、化合物及由導(dǎo)電體構(gòu)成的磁控原件。
優(yōu)選的,所述導(dǎo)電體是納米級(jí)膜/薄導(dǎo)電體/只有一個(gè)原子層厚度的新型材料石墨烯、硼烯和碳納米管,或宏觀尺度的導(dǎo)電體。
優(yōu)選的,所述導(dǎo)電體不限于剛性導(dǎo)電體。
優(yōu)選的,所述磁體具有永磁性。
本發(fā)明還公開了一種電磁裝置的電磁控制方法:包括以下步驟:
S1、設(shè)置導(dǎo)電體:使導(dǎo)電體設(shè)置于磁體極/和面的不同分區(qū);
S2、電流導(dǎo)入:通入電流使所述導(dǎo)體產(chǎn)生磁力與磁體的磁力相互作用;
S3、控制:實(shí)現(xiàn)運(yùn)動(dòng)控制、電學(xué)指標(biāo)控制或?qū)崿F(xiàn)電學(xué)參量變化監(jiān)測;
S4、指標(biāo)檢測:導(dǎo)電體在磁體的極面或非極面的不同分區(qū)運(yùn)動(dòng),完成不同的電磁學(xué)指標(biāo)的監(jiān)測。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,具備以下有益效果:本裝置結(jié)構(gòu)簡單,制作容易,應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,且控制方法簡單,拓展了電磁技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域,實(shí)現(xiàn)了電磁互控。對(duì)進(jìn)一步研究和完善電磁作用機(jī)理等也有幫助。
附圖說明
圖1為本發(fā)明的磁體分區(qū)示意圖;
圖2為本發(fā)明的一種電磁裝置實(shí)施列的示意圖一;
圖3為本發(fā)明的一種電磁裝置實(shí)施列的示意圖二;
圖4為本發(fā)明的一種電磁裝置實(shí)施列的示意圖三;
圖5為本發(fā)明的一種電磁裝置實(shí)施列的示意圖四;
圖6為磁體的不同分區(qū)與霍爾的相互作用力關(guān)系示意圖。
具體實(shí)施方式
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于胥鳳山,未經(jīng)胥鳳山許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010060801.2/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G01D 非專用于特定變量的測量;不包含在其他單獨(dú)小類中的測量兩個(gè)或多個(gè)變量的裝置;計(jì)費(fèi)設(shè)備;非專用于特定變量的傳輸或轉(zhuǎn)換裝置;未列入其他類目的測量或測試
G01D5-00 用于傳遞傳感構(gòu)件的輸出的機(jī)械裝置;將傳感構(gòu)件的輸出變換成不同變量的裝置,其中傳感構(gòu)件的形式和特性不限制變換裝置;非專用于特定變量的變換器
G01D5-02 .采用機(jī)械裝置
G01D5-12 .采用電或磁裝置
G01D5-26 .采用光學(xué)裝置,即應(yīng)用紅外光、可見光或紫外光
G01D5-42 .采用流體裝置
G01D5-48 .采用波或粒子輻射裝置
- 一種數(shù)據(jù)庫讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測試終端的測試方法
- 一種服裝用人體測量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





