[發明專利]三元層狀碳化物Mo2 在審
| 申請號: | 202010060540.4 | 申請日: | 2020-01-19 |
| 公開(公告)號: | CN111229272A | 公開(公告)日: | 2020-06-05 |
| 發明(設計)人: | 任杰;宗暉;郁可;朱自強 | 申請(專利權)人: | 華東師范大學 |
| 主分類號: | B01J27/22 | 分類號: | B01J27/22;C25B11/06;C25B1/04 |
| 代理公司: | 上海德禾翰通律師事務所 31319 | 代理人: | 陳艷娟 |
| 地址: | 200241 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 三元 層狀 碳化物 mo base sub | ||
1.一種三元層狀碳化物Mo2Ga2C復合花狀MoS2納米顆粒復合材料的制備方法,其特征在于,該方法包括以下具體步驟:
(1)將鉬粉與石墨按2:1的摩爾比稱量,并球磨12小時使其充分混合;在氬氣氣氛下以5℃~10℃每分鐘升溫速率升溫至1000±100℃,并在1000±100℃下保持12小時左右,得到燒結的塊狀Mo2C;
(2)將上述塊狀Mo2C研磨成粉末狀,與液態金屬鎵以1:8摩爾比例充分混合后,抽真空并密封,以8℃~10℃每分鐘的升溫速率升至850℃±30℃并保持48小時,自然冷卻后,壓碎,在850℃±30℃下保持24小時,冷卻取出,得到三元層狀碳化物Mo2Ga2C;
(3)將得到的三元層狀碳化物Mo2Ga2C浸泡在37~45wt%的鹽酸溶液中45-50小時,然后用水洗滌,真空干燥,得到黑色三元納米層狀Mo2Ga2C粉末;
(4)使用水熱合成法,取0.45-0.55g二水合鉬酸鈉和0.8g硫脲溶于60ml的去離子水中,然后調節pH值,磁力攪拌,得到溶液I;取步驟(3)制備的Mo2Ga2C粉末0.5-0.8g緩慢浸入上述溶液I中,磁力攪拌充分混合,得到分散液;將分散液轉移至反應釜中,在200℃下加熱24小時;反應完后將杯壁的黑色物質收集起來用去離子水反復離心洗滌,將獲得的材料真空干燥;在氬氣氛圍中550℃下60-80分鐘退火,得到所述三元層狀碳化物Mo2Ga2C復合花狀MoS2納米顆粒復合材料。
2.一種如權利要求1所述方法制得的三元層狀碳化物Mo2Ga2C復合花狀MoS2納米顆粒復合材料。
3.如權利要求2所述的三元層狀碳化物Mo2Ga2C復合花狀MoS2納米顆粒復合材料,其特征在于,三元層狀碳化物Mo2Ga2C粉末為六方晶系;花狀MoS2納米顆粒為六方晶系;花狀MoS2納米顆粒作為復合物,三元層狀Mo2Ga2C粉末作為搭載基底,形成穩定結構;所述MoS2納米顆粒與所述三元層狀Mo2Ga2C有充分牢固的點面接觸。
4.如權利要求3所述的三元層狀碳化物Mo2Ga2C復合花狀MoS2納米顆粒復合材料,其特征在于,所述三元層狀碳化物Mo2Ga2C的長約為5μm,寬約為3μm,為一種六方晶相的層狀物骨架材料,其中兩個Ga層以簡單的六角形排列堆疊在Mo2C層之間;所述納米花狀MoS2顆粒直徑為200nm,均勻分布在層狀Mo2Ga2C的表面。
5.一種如權利要求2所述三元層狀碳化物Mo2Ga2C復合花狀MoS2納米顆粒復合材料在作為電催化水裂解陰極材料中的應用。
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