[發明專利]清洗裝置及方法

在審

• 申請號: 202010060403.0
• 申請日: 2020-01-19
• 公開（公告）號: CN111261554A
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發明（設計）人: 王孝進;王猛;侯瀟
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 李路遙;張穎玲

1.一種清洗裝置，其特征在于，所述裝置包括：裝載臺、加熱器、等離子體發生器及爐管反應腔；其中：

在進行清洗時，待清洗的半導體結構設置在所述裝載臺上；所述待清洗的半導體結構中至少包含氧化性的雜質；

所述加熱器，用于將所述爐管反應腔的溫度加熱至第一溫度；

等離子體發生器，用于將還原性的第一氣體進行離子化處理；

在所述第一溫度條件下，利用離子化處理后的第一氣體在所述爐管反應腔中執行去除所述氧化性的雜質。

2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一氣體包含氫氣H₂；

所述等離子體發生器，具體用于將H₂轉化為自由基H·和氫離子H⁺；

在所述第一溫度條件下，利用所述H·和H⁺在所述爐管反應腔中執行去除所述氧化性的雜質。

3.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述等離子體發生器包括遠程等離子體發生器。

4.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括：進氣口，所述第一氣體從所述進氣口通入到所述等離子體發生器中。

5.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括：氣體注入管道；所述氣體注入管道的輸入口與所述等離子體發生器的輸出口相連，所述氣體注入管道的輸出口與所述爐管反應腔相連；所述離子化處理后的第一氣體通過所述氣體注入管道傳輸至所述爐管反應腔中。

6.根據權利要求5所述的裝置，其特征在于，所述氣體注入管道包括多個輸出口；所述離子化處理后的第一氣體通過所述多個輸出口分流進入所述爐管反應腔中。

7.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括出氣口，所述離子化處理后的第一氣體與所述氧化性的雜質反應后的氣體通過所述出氣口從所述爐管反應腔中排出。

8.根據權利要求7所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括包含泵；所述泵抽氣時，所述離子化處理后的第一氣體與所述氧化性的雜質反應后的氣體通過所述出氣口從所述爐管反應腔中排出。

9.一種清洗方法，其特征在于，所述方法包括：

在進行清洗時，將待清洗的半導體結構設置在所述清洗裝置的裝載臺上；所述待清洗的半導體結構中至少包含氧化性的雜質；

利用所述清洗裝置的加熱器將所述清洗裝置的爐管反應腔的溫度加熱至第一溫度；

在所述清洗裝置的等離子體發生器中將還原性的第一氣體進行離子化處理；

在所述第一溫度條件下，利用離子化處理后的第一氣體將所述氧化性的雜質在所述爐管反應腔中執行去除。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一氣體包含H₂；

在所述清洗裝置的等離子體發生器中將還原性的第一氣體進行離子化處理時，所述方法包括：

在所述清洗裝置的等離子體發生器中將H₂轉化為H·和H⁺；

在所述第一溫度條件下，利用離子化處理后的第一氣體將所述氧化性的雜質在所述爐管反應腔中執行去除時，所述方法包括：

在所述第一溫度條件下，利用所述H·和H⁺將所述氧化性的雜質在所述爐管反應腔中執行去除。