[發(fā)明專利]一種石英音叉和基座的連接結(jié)構(gòu)、連接方法及其應用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010060372.9 | 申請日: | 2020-01-19 |
| 公開(公告)號: | CN111256673B | 公開(公告)日: | 2021-09-10 |
| 發(fā)明(設計)人: | 朱京;張琳琳;林立男 | 申請(專利權(quán))人: | 北京晨晶電子有限公司 |
| 主分類號: | G01C19/5621 | 分類號: | G01C19/5621;G01C19/5628 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250 | 代理人: | 李亞南 |
| 地址: | 100015*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 石英 音叉 基座 連接 結(jié)構(gòu) 方法 及其 應用 | ||
1.一種石英音叉與基座的連接結(jié)構(gòu),其特征在于,包括孤島、凸臺以及設置兩者之間用于將兩者相互連接的金屬連接層,所述孤島設置于石英音叉中心,所述凸臺設置于基座表面;
所述金屬連接層由多層金屬膜層鍵合而成,所述多層金屬膜層沿孤島靠近凸臺的方向上依次包括層疊設置的Cr層、第一Au層、Sn層和第二Au層;
所述多層金屬膜層的面積大于孤島與凸臺的相交面積;
所述多層金屬膜層厚度為9.5-10.5μm;優(yōu)選地,Cr層的厚度為19-21nm,第一Au層的厚度為5700-6300nm,Sn層的厚度為3800-4200nm,第二Au層的厚度為9.5-10.5nm;所述多層金屬膜層不與其他Au電極相連接。
2.權(quán)利要求1所述的石英音叉和基座的連接結(jié)構(gòu)在石英音叉陀螺中的應用。
3.一種石英音叉陀螺,其特征在于,包括權(quán)利要求1所述的石英音叉和基座的連接結(jié)構(gòu)。
4.一種石英音叉與基座的連接方法,其特征在于,包括如下步驟:
在石英音叉中心的孤島上形成多層金屬膜層;
將石英音叉的孤島與基座的凸臺對準后,進行微組裝,通過金屬連接層連接石英音叉和基座;
所述微組裝,包括如下步驟:
將石英音叉的孤島與基座的凸臺對準后置于鍵合設備中,然后抽真空至不大于5×10-3Pa后,充入N2到不大于8×104Pa,并重復至少1次;
從(30±10)℃升溫至(220±10)℃,升溫時間1-5min;
在(220±10)℃保持1-2min;
從(220±10)℃升溫至(310±10)℃,升溫時間1-10min;
在(310±10)℃保持5-30min;
從(310±10)℃降溫至(50±10)℃,降溫時間5-30min;
從(50±10)℃升溫至(200±10)℃,升溫時間1-5min;
在(200±10)℃保持1-5min;
從(200±10)℃降溫至(30±10)℃,降溫時間1-5min,完成微組裝。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的連接方法,其特征在于,在石英音叉中心的孤島上形成多層金屬膜層,包括如下步驟:
S1:在石英音叉中心的孤島上依次沉積Cr層和第一Au層;
S2:對Cr層和第一Au層所形成的結(jié)構(gòu)進行圖形化;
S3:在S2得到的結(jié)構(gòu)上制備Sn層和第二Au層,得到多層金屬膜層;
優(yōu)選地,步驟S1中,所述沉積為磁控濺射沉積;
步驟S2中,所述圖形化為采用光刻工藝S1得到的結(jié)構(gòu)進行精確定義,然后采用濕法刻蝕工藝形成目標圖形;
步驟S3具體為,采用光刻工藝對S2中得到的結(jié)構(gòu)進行精確定義,然后使用熱蒸發(fā)方式沉積Sn層和第二Au層,最后采用光刻膠剝離工藝得到多層金屬膜層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的連接方法,其特征在于,所述微組裝,升溫及保持溫度時,真空度保持小于8×104Pa;
所述在石英音叉中心的孤島上形成多層金屬膜層時,沉積Cr層和第一Au層以及沉積Sn層和第二Au層時,其真空度保持不大于5×10-3Pa。
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G01C19-00 陀螺儀;使用振動部件的轉(zhuǎn)動敏感裝置;不帶有運動部件的轉(zhuǎn)動敏感裝置
G01C19-02 .旋轉(zhuǎn)式陀螺儀
G01C19-56 .使用振動部件的轉(zhuǎn)動敏感裝置,例如基于科里奧利力的振動角速度傳感器
G01C19-58 .不帶有運動部件的轉(zhuǎn)動敏感裝置
G01C19-60 ..電子磁共振或核磁共振陀螺測量儀
G01C19-64 ..利用薩格萘克效應,即利用逆向旋轉(zhuǎn)的兩電磁束之間旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生位移的陀螺測量儀





