[發明專利]封裝結構及其制備方法

在審

• 申請號: 202010060213.9
• 申請日: 2020-01-19
• 公開（公告）號: CN111261526A
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發明（設計）人: 彭浩;廖小景
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/60;H01L21/683;H01L23/31
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強;李稷芳

1.一種封裝結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

提供金屬板，在所述金屬板的背面形成第一鈍化層；

蝕刻所述金屬板，以形成金屬走線；

在所述第一鈍化層之設有所述金屬走線的一側形成第二鈍化層，所述第二鈍化層包覆所述金屬走線；

在所述第一鈍化層和所述第二鈍化層中分別形成與所述金屬走線連接的金屬柱，所述第一鈍化層、所述第二鈍化層、所述金屬走線和所述金屬柱共同構成重布線層；

在所述重布線層上形成容納腔，將電子器件封裝于所述容納腔中，所述電子器件的頂面和底面分別位于所述金屬走線的兩側。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一表面到所述金屬走線背向所述第一鈍化層的表面的距離小于所述第一表面到所述頂面的距離。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述頂面到所述重布線層的第二表面的距離為20μm～80μm。

4.根據權利要求1-3任一項所述的制備方法，其特征在于，所述在所述第一鈍化層和所述第二鈍化層中分別形成與所述金屬走線連接的金屬柱包括：

在所述第一鈍化層和所述第二鈍化層分別形成開口，所述開口露出所述金屬走線；

在所述開口中形成所述金屬柱。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，通過激光開孔工藝在所述第一鈍化層和所述第二鈍化層分別形成所述開口。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，形成于所述第一鈍化層的開口和形成于所述第二鈍化層的開口相對設置和/或錯位設置。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，通過電鍍工藝在所述開口中形成所述金屬柱。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述第一鈍化層的材料為樹脂，所述第一鈍化層通過壓合工藝形成于所述金屬板的背面。

9.根據權利要求5-8任一項所述的制備方法，其特征在于，在蝕刻所述金屬板的過程中還形成犧牲走線，在形成所述金屬柱的同時在所述第一鈍化層形成第一犧牲柱，及在所述第二鈍化層中形成第二犧牲柱，所述第一犧牲柱和所述第二犧牲柱連接在所述犧牲走線的兩側，三者共同構成待去除材料，所述待去除材料呈閉環架構，在所述重布線層形成所述容納腔的過程為蝕刻所述待去除材料，以形成所述容納腔。

10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述將電子器件封裝于所述容納腔的過程為在所述重布線層的第一表面形成粘膠層，將所述電子器件裝于所述容納腔內，且所述電子器件的焊盤與所述粘膠層連接，在所述容納腔內填充封裝材料以封裝所述電子器件。

11.根據權利要求10所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括在所述重布線層的第一表面形成第一線層，在所述重布線層的第二表面形成第二線層，所述第一線層和所述第二線層通過所述重布線層連通，露出所述第一表面的所述電子器件的焊盤通過所述第一線層與所述第二線層連接。

12.根據權利要求11所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括在所述第一線層和所述第二線層的表面分別形成防焊層。

13.一種如權利要求1-12任一項所述的制備方法所制作的封裝結構，所述封裝結構安裝于移動電子設備的電路板上。