[發明專利]用于半導體設備的過壓保護裝置、方法及異常檢測方法

在審

• 申請號: 202010059721.5
• 申請日: 2020-01-19
• 公開（公告）號: CN111271607A
• 公開（公告）日: 2020-06-12
• 發明（設計）人: 陳路路;趙海洋
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: F17D5/00
• 分類號: F17D5/00;F17D3/01;F17D1/04;H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;王婷

1.一種用于半導體設備的過壓保護裝置，包括過壓保護單元，所述過壓保護單元連接于反應腔室和尾氣處理裝置之間；其特征在于，還包括：

氣體輸送單元，與所述過壓保護單元所在氣路的上游位置連接，用于向所述過壓保護單元所在氣路通入流量為第一流量值的氣體；

流量檢測單元，與所述過壓保護單元所在氣路的下游位置連接，用于檢測所述過壓保護單元輸出的第二流量值。

2.根據權利要求1所述的用于半導體設備的過壓保護裝置，其特征在于，所述氣體輸送單元包括：

氣源；

第一氣路，所述第一氣路的進氣端與所述氣源連接，出氣端與所述過壓保護單元所在氣路的上游位置連接；

第一通斷開關和限流器，所述第一通斷開關和所述限流器設置在所述第一氣路上，所述限流器用于將所述第一氣路的流量限定在所述第一流量值。

3.根據權利要求2所述的用于半導體設備的過壓保護裝置，其特征在于，所述第一通斷開關為氣動通斷閥或電動通斷閥。

4.根據權利要求1所述的用于半導體設備的過壓保護裝置，其特征在于，所述流量檢測單元為流量計。

5.根據權利要求1-4任意一項所述的用于半導體設備的過壓保護裝置，其特征在于，所述過壓保護單元包括分別與所述反應腔室和尾氣處理裝置連接的第二氣路，以及設置在所述第二氣路上的第二通斷開關和單向閥。

6.根據權利要求5所述的用于半導體設備的過壓保護裝置，其特征在于，所述第二通斷開關為氣動通斷閥或電動通斷閥。

7.一種過壓保護異常檢測方法，其特征在于，包括：

自過壓保護單元所在氣路的上游位置向所述過壓保護單元所在氣路通入流量為第一流量值的氣體；

檢測所述過壓保護單元輸出的第二流量值；

判斷所述第一流量值和第二流量值之間的差值是否超出預設范圍；

若是，則確認所述過壓保護單元異常；

若否，則確認所述過壓保護單元正常。

8.一種過壓保護方法，其特征在于，包括：

在對各被加工工件進行半導體工藝的過程中，在反應腔室的壓力超出預設閾值時，通過過壓保護單元將所述反應腔室中的氣體排入尾氣處理裝置；

其中，每加工完成至少一個被加工工件之后，進行過壓保護異常檢測步驟，該步驟采用權利要求7所述的過壓保護異常檢測方法檢測所述過壓保護單元是否異常；

若所述過壓保護單元異常，則在對所述過壓保護單元進行維修措施之后，重新進行所述過壓保護異常檢測步驟；

若所述過壓保護單元正常，則對下一個被加工工件進行半導體工藝。

9.根據權利要求8所述的過壓保護方法，其特征在于，所述在對各被加工工件進行半導體工藝的過程中，在反應腔室的壓力超出預設閾值時，通過過壓保護單元將所述反應腔室中的氣體排入尾氣處理裝置，包括：

在對各被加工工件進行半導體工藝的過程中，通過排氣氣路將所述反應腔室中的氣體排入所述尾氣處理裝置；

判斷所述反應腔室的壓力是否超出預設閾值，若超出，則關閉所述排氣氣路上的流量控制單元，并開啟所述過壓保護單元。

10.根據權利要求9所述的過壓保護方法，其特征在于，所述半導體工藝為化學氣相沉積工藝。