[發明專利]金屬氧化物半導體場效應晶體管及其制作方法

有效

• 申請號: 202010059709.4
• 申請日: 2020-01-19
• 公開（公告）號: CN111244182B
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發明（設計）人: 馬萬里;馬云驍;李雙
• 申請（專利權）人: 深圳市昭矽微電子科技有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 譚露盈

1.一種金屬氧化物半導體場效應晶體管的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

在N型基底上制作多個溝槽；

在所述N型基底上制作柵氧化層，所述柵氧化層露出所述溝槽及所述溝槽在所述N型基底上表面的槽口邊緣，所述槽口邊緣的寬度為0.1μm~3μm；

在柵氧化層上制作多晶硅層；

以所述多晶硅層為阻擋，進行P型離子的第一注入和驅入，以形成從所述溝槽的內壁向所述N型基底內部延伸的P-體區；

以所述多晶硅層為阻擋，進行P型離子的第二注入，以形成從所述溝槽的內壁向所述N型基底內部延伸并且由所述P-體區包圍的位于P-體區內的P+區；

在所述溝槽內填充絕緣介質；

以所述多晶硅層及所述絕緣介質為阻擋，進行N型離子的注入，以形成從所述溝槽的槽口邊緣向所述N型基底內部延伸的N+區；

在所述多晶硅層上形成介質層；

去除所述絕緣介質，形成露出所述N+區及所述P+區的接觸孔；

在所述介質層上制作第一金屬層，所述金屬層經由所述接觸孔與所述N+區及所述P+區接觸。

2.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述溝槽的制作方法包括以下步驟：

在所述N型基底上制作圖案化的初始氧化層；

以所述初始氧化層為掩膜，通過光刻和刻蝕在所述N型襯底上形成溝槽；

去除所述初始氧化層。

3.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述P型離子的第二注入包括：

采用傾斜于所述N型基底方向注入的方式，形成從所述溝槽的內壁向所述N型基底內部延伸的第一P+區；

采用垂直于所述N型基底方向注入的方式，形成從所述第一P+區背向所述溝槽的槽底的一側進一步向遠離所述槽底的方向延伸的第二P+區。

4.如權利要求1~3任一項所述的制作方法，其特征在于，所述P型離子為硼離子。

5.如權利要求1~3任一項所述的制作方法，其特征在于，所述P型離子的第一注入的劑量為1×10¹³個/cm²～1×10¹⁵個/cm²，能量為50KeV～300KeV。

6.如權利要求1~3任一項所述的制作方法，其特征在于，所述P型離子的驅入的溫度為1100℃～1200℃，時間為50min～300min。

7.如權利要求1~3任一項所述的制作方法，其特征在于，所述P型離子的第二注入的劑量為1×10¹⁴個/cm²～1×10¹⁶個/cm²，能量為50KeV～300KeV。

8.如權利要求1~3任一項所述的制作方法，其特征在于，所述N型離子為砷離子或磷離子。

9.如權利要求1~3任一項所述的制作方法，其特征在于，所述N型離子的注入的劑量為1×10¹⁵個/cm²～5×10¹⁶個/cm²，能量為50KeV～300KeV。

10.如權利要求1~3任一項所述的制作方法，其特征在于，所述溝槽的深度為0.1μm～2.0μm。

11.如權利要求1~3任一項所述的制作方法，其特征在于，所述N型基底為N型襯底或者包括N型襯底和形成于N型襯底上的N型外延層。

12.如權利要求1~3任一項所述的制作方法，其特征在于，所述第一金屬層的材質為鋁/硅/銅合金。