[發明專利]一種全光譜光催化合成氨Ti3

在審

• 申請號: 202010059504.6
• 申請日: 2020-01-19
• 公開（公告）號: CN111151276A
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發明（設計）人: 王梁炳;侯婷婷;李琪
• 申請（專利權）人: 中南大學
• 主分類號: B01J27/22
• 分類號: B01J27/22;C01C1/04
• 代理公司: 長沙市融智專利事務所(普通合伙) 43114
• 代理人: 趙進;顏勇

1.一種全光譜光催化合成氨Ti₃C₂T_x/TiO₂復合材料，其特征在于：具有片層結構，其在Ti₃C₂T_x表面上原位生長TiO₂。

2.根據權利要求1所述的全光譜光催化合成氨Ti₃C₂T_x/TiO₂復合材料，其特征在于：所述Ti₃C₂T_x/TiO₂復合材料中，TiO₂和Ti₃C₂T_x的質量比為3.25～76.31：23.69～96.85。

3.根據權利要求2所述的全光譜光催化合成氨Ti₃C₂T_x/TiO₂復合材料，其特征在于：所述Ti₃C₂T_x/TiO₂復合材料中，TiO₂和Ti₃C₂T_x的質量比為50.97：49.02。

4.權利要求1-3任一項所述的全光譜光催化合成氨Ti₃C₂T_x/TiO₂復合材料的制備方法，其特征在于：氧化性氣氛中，將Ti₃C₂T_x Mxene于200～600℃下煅燒即得Ti₃C₂T_x/TiO₂復合材料。

5.根據權利要求4所述的全光譜光催化合成氨Ti₃C₂T_x/TiO₂復合材料的制備方法，其特征在于：所述氧化性氣氛為空氣氣氛或氧氣氣氛。

6.根據權利要求4所述的全光譜光催化合成氨Ti₃C₂T_x/TiO₂復合材料的制備方法，其特征在于：所述煅燒溫度為400℃。

7.根據權利要求4所述的全光譜光催化合成氨Ti₃C₂T_x/TiO₂復合材料的制備方法，其特征在于：所述Ti₃C₂T_x Mxene是由Ti₃AlC₂過渡族金屬陶瓷材料使用氫氟酸刻蝕去除其中的Al原子層所得。

8.根據權利要求7所述的全光譜光催化合成氨Ti₃C₂T_x/TiO₂復合材料的制備方法，其特征在于：所述Ti₃AlC₂過渡族金屬陶瓷材料是由碳化鈦(TiC)粉末、氫化鈦(TiH₂)粉末和Al金屬粉末經球磨混合、高溫煅燒所得。

9.權利要求1-3任一項所述的全光譜光催化合成氨Ti₃C₂T_x/TiO₂復合材料或權利要求4-8任一項所述的制備方法制得的全光譜光催化合成氨Ti₃C₂T_x/TiO₂復合材料的應用，其特征在于：將其用于光催化合成氨。