[發明專利]一種改善frit膠凹陷的方法有效
| 申請號: | 202010059463.0 | 申請日: | 2020-01-19 |
| 公開(公告)號: | CN111261803B | 公開(公告)日: | 2022-05-24 |
| 發明(設計)人: | 莊丹丹;孫玉俊 | 申請(專利權)人: | 福建華佳彩有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司: | 福州市景弘專利代理事務所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 徐劍兵;張忠波 |
| 地址: | 351100 福*** | 國省代碼: | 福建;35 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 改善 frit 凹陷 方法 | ||
1.一種改善frit膠凹陷的方法,其特征在于,包括如下步驟:
在frit膠中加入磁流變體,形成具有磁流變體的frit膠;
對具有磁流變體的frit膠施加磁場后,使frit膠受磁場作用后frit膠粘度變大,在待網印物上采用具有磁流變體的frit膠進行網印操作;
網印操作結束,并撤掉磁場。
2.根據權利要求1所述的一種改善frit膠凹陷的方法,其特征在于,所述網印操作為:
將具有磁流變體的frit膠涂在網版上,網版包括網紗和乳劑,網版的底部設置有乳劑,網紗用于供具有磁流變體的frit膠自上而下滲入,網版放置在待網印物上方;
用刮刀刮動網版上的具有磁流變體的frit膠,使具有磁流變體的frit膠穿透網紗印到待網印物上。
3.根據權利要求1所述的一種改善frit膠凹陷的方法,其特征在于,在網印操作結束,并撤掉磁場時,還包括如下步驟;
靜置具有磁流變體的frit膠,使具有磁流變體的frit膠流平。
4.根據權利要求1所述的一種改善frit膠凹陷的方法,其特征在于,frit膠受磁場作用后,具有磁流變體的frit膠中的磁流變體呈線性排列后具有磁流變體的frit膠粘度變大。
5.根據權利要求1所述的一種改善frit膠凹陷的方法,其特征在于,在網印操作結束,并撤掉磁場后,還包括如下步驟:
在待網印物置于強度逐漸減弱的交變電流產生的磁場中,交變電流產生的磁場用于去除frit膠的磁性。
6.根據權利要求1至5任意一項所述的一種改善frit膠凹陷的方法,其特征在于,對具有磁流變體的frit膠施加磁場的方向為單一方向且垂直待網印物平面。
7.根據權利要求1至5任意一項所述的一種改善frit膠凹陷的方法,其特征在于,所述待網印物為蓋板玻璃。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于福建華佳彩有限公司,未經福建華佳彩有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010059463.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





