[發明專利]一種ZnO/InGaN異質結發光二極管及其制備方法

有效

• 申請號: 202010059164.7
• 申請日: 2020-01-19
• 公開（公告）號: CN111384218B
• 公開（公告）日: 2022-01-18
• 發明（設計）人: 姜明明;唐楷;闞彩俠;劉洋;馬琨傑
• 申請（專利權）人: 南京航空航天大學
• 主分類號: H01L33/26
• 分類號: H01L33/26;H01L33/00
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種ZnO/InGaN異質結發光二極管，其特征在于，包括p-InGaN襯底(2)、ZnO:Ga微米線(3)，所述p-InGaN襯底(2)上制備有合金薄膜電極(1)，所述ZnO:Ga微米線(3)緊貼在p-InGaN襯底(2)上，且不接觸合金薄膜電極(1)，ZnO:Ga微米線(3)與p-InGaN襯底(2)構成n-ZnO:Ga/p-InGaN異質結構，所述ZnO:Ga微米線(3)遠離合金薄膜電極(1)的一端附著有Ag薄膜電極(4)；

所述合金薄膜電極(1)占p-InGaN襯底(2)面積的1/5～1/4；

所述合金薄膜電極(1)為Ni/Au電極，厚度為40～50nm；

所述合金薄膜電極(1)上粘附有金屬顆粒電極(5)；

所述金屬顆粒電極(5)為In電極；

所述p-InGaN襯底(2)厚度為635～665μm，空穴濃度為10¹⁷～10¹⁹個/cm³；

所述n-ZnO:Ga微米線的電子濃度為10¹⁷～10¹⁹個/cm³，電子遷移率為5～100cm²/V·s；

所述Ag薄膜電極(4)厚度為30～40nm。

2.一種權利要求1所述的ZnO/InGaN異質結發光二極管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟；

(S1)利用電子束蒸鍍法在p-InGaN襯底(2)上沉積合金薄膜電極(1)；

(S2)利用電子束蒸鍍法在n-ZnO:Ga微米線(3)一端的側面上沉積Ag薄膜電極(4)；

(S3)將鍍有Ag薄膜電極(4)的單根n-ZnO:Ga微米線(3)的面向上緊貼在p-InGaN襯底(2)上，確保金屬Ag不與p-InGaN襯底(2)表面接觸，n-ZnO:Ga微米線(3)也不和合金薄膜電極(1)接觸，即得到ZnO/InGaN異質結發光二極管。

3.根據權利要求2所述的ZnO/InGaN異質結發光二極管的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中，在合金薄膜電極(1)上再按壓一個金屬顆粒電極(5)。