[發明專利]利用真空層壓的粘結系統有效
| 申請號: | 202010058649.4 | 申請日: | 2016-10-10 |
| 公開(公告)號: | CN111180367B | 公開(公告)日: | 2023-08-15 |
| 發明(設計)人: | 李錫政;徐城澤;韓宰賢 | 申請(專利權)人: | AP系統股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 呂琳;宋東穎 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 利用 真空 層壓 粘結 系統 | ||
1.一種利用真空層壓的粘結系統,其為硅貫通電極工藝用粘結系統其特征在于,包括:
傳送模塊,其內部設有第一機械臂;
設備前端模塊,其設置在所述傳送模塊一側,通過設備前端模塊機械臂對載體晶片及器件晶片進行移送;
真空層壓模塊,其設置在所述傳送模塊的另一側,載體晶片通過所述第一機械臂被移送后,在真空狀態下對粘合膜和載體晶片進行層壓;以及
粘結模塊,其設置在所述傳送模塊的又一側,器件晶片及與粘合膜層壓的載體晶片通過所述第一機械臂被移送后,對所述器件晶片和載體晶片進行粘結,
在所述傳送模塊的又一側形成用于切割用于所述真空層壓的粘合膜的切割模塊及用于剝離形成于所述粘合膜的下部的第一保護膜的剝離模塊,且被切割及剝離的粘合膜通過粘著到與所述第一機械臂連接或分離的粘著盤的下部而運輸到所述真空層壓模塊,
所述粘著盤形成有沿上下貫通的銷孔,所述粘著盤的上部還形成用于真空粘著的上部盤。
2.根據權利要求1所述的利用真空層壓的粘結系統,其特征在于,
所述粘結模塊在真空狀態下實現。
3.根據權利要求2所述的利用真空層壓的粘結系統,其特征在于,
在向所述真空層壓模塊或所述粘結模塊進行根據第一機械臂的載體晶片或器件晶片的移送時,構成為通過緩沖模塊。
4.根據權利要求2所述的利用真空層壓的粘結系統,其特征在于,
在所述真空層壓模塊及所述粘結模塊之間設有真空模塊,在所述真空模塊內部設有第二機械臂,從而向所述真空層壓模塊或所述粘結模塊移送載體晶片或器件晶片。
5.根據權利要求4所述的利用真空層壓的粘結系統,其特征在于,
所述真空模塊和所述傳送模塊之間還形成緩沖模塊。
6.根據權利要求4所述的利用真空層壓的粘結系統,其特征在于,
所述被切割及剝離的粘合膜通過第二機械臂運輸到所述真空層壓模塊。
7.根據權利要求6利用真空層壓的粘結系統,其特征在于,
所述被切割及剝離的粘合膜通過粘著到與所述第二機械臂連接或分離的粘著盤的下部而實現運輸。
8.根據權利要求7利用真空層壓的粘結系統,其特征在于,
在所述粘著盤下部設有丁二烯粘著部。
9.根據權利要求1利用真空層壓的粘結系統,其特征在于,
以多個所述真空層壓模塊或粘結模塊來實現。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





